ixys半导体，晶体管 - FET，MOSFET

ixys半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 单

专业代理销售IXYS（艾赛斯）全系列产品

关于我们 | 付款方式 | 联系我们

IXYS分类

IXYS动态

当前位置：首页 > IXYS动态

ixys半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 单 2017/3/30

仓库零件编号	制造商零件编号	制造商	描述	包装	系列	零件状态	FET 类型	技术	漏源极电压（Vdss）	电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）	驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）	不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）	Vgs 时的栅极电荷?(Qg)（最大值）	Vds 时的输入电容 (Ciss)（最大值）	Vgs（最大值）	FET 功能	功率耗散（最大值）	不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）	工作温度	安装类型	供应商器件封装	封装/外壳

IXTY08N100D2-ND	IXTY08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK	管件	-	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	1000V（1kV）	800mA（Tc）	-	-	14.6nC @ 5V	325pF @ 25V	±20V	耗尽模式	60W（Tc）	21 欧姆 @ 400mA，0V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-252，（D-Pak）	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
IXTA10P50PTRLTR-ND	IXTA10P50PTRL	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA	带卷（TR）可替代的包装	PolarP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	500V	10A（Tc）	10V	4V @ 250μA	50nC @ 10V	2840pF @ 25V	±20V	-	300W（Tc）	1 欧姆 @ 5A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-263（IXTA）	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IXTA10P50PTRLCT-ND	IXTA10P50PTRL	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA	剪切带（CT）可替代的包装	PolarP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	500V	10A（Tc）	10V	4V @ 250μA	50nC @ 10V	2840pF @ 25V	±20V	-	300W（Tc）	1 欧姆 @ 5A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-263（IXTA）	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IXTA10P50PTRLDKR-ND	IXTA10P50PTRL	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA	szcwdz-Reel? 可替代的包装	PolarP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	500V	10A（Tc）	10V	4V @ 250μA	50nC @ 10V	2840pF @ 25V	±20V	-	300W（Tc）	1 欧姆 @ 5A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-263（IXTA）	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IXTA3N120TR-ND	IXTA3N120TRL	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263	带卷（TR）可替代的包装	-	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	1200V（1.2kV）	3A（Tc）	10V	5V @ 250μA	42nC @ 10V	1350pF @ 25V	±20V	-	200W（Tc）	4.5 欧姆 @ 1.5A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-263（IXTA）	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IXTA3N120CT-ND	IXTA3N120TRL	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263	剪切带（CT）可替代的包装	-	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	1200V（1.2kV）	3A（Tc）	10V	5V @ 250μA	42nC @ 10V	1350pF @ 25V	±20V	-	200W（Tc）	4.5 欧姆 @ 1.5A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-263（IXTA）	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IXTA3N120DKR-ND	IXTA3N120TRL	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 3A TO-263	szcwdz-Reel? 可替代的包装	-	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	1200V（1.2kV）	3A（Tc）	10V	5V @ 250μA	42nC @ 10V	1350pF @ 25V	±20V	-	200W（Tc）	4.5 欧姆 @ 1.5A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-263（IXTA）	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IXTP96P085T-ND	IXTP96P085T	IXYS	MOSFET P-CH 85V 96A TO-220	管件	TrenchP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	85V	96A（Tc）	10V	4V @ 250μA	180nC @ 10V	13100pF @ 25V	±15V	-	298W（Tc）	13 毫欧 @ 48A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IXTA76P10T-ND	IXTA76P10T	IXYS	MOSFET P-CH 100V 76A TO-263	管件	TrenchP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	100V	76A（Tc）	10V	4V @ 250μA	197nC @ 10V	13700pF @ 25V	±15V	-	298W（Tc）	25 毫欧 @ 500mA，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-263（IXTA）	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IXTA96P085T-ND	IXTA96P085T	IXYS	MOSFET P-CH 85V 96A TO-263	管件可替代的包装	TrenchP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	85V	96A（Tc）	10V	4V @ 250μA	180nC @ 10V	13100pF @ 25V	±15V	-	298W（Tc）	13 毫欧 @ 48A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-263（IXTA）	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IXTP10P50P-ND	IXTP10P50P	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-220	管件	PolarP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	500V	10A（Tc）	10V	4V @ 250μA	50nC @ 10V	2840pF @ 25V	±20V	-	300W（Tc）	1 欧姆 @ 5A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IXTA52P10P-ND	IXTA52P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 52A TO-263	管件	PolarP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	100V	52A（Tc）	10V	4.5V @ 250μA	60nC @ 10V	2845pF @ 25V	±20V	-	300W（Tc）	50 毫欧 @ 500mA，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-263（IXTA）	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IXTP26P20P-ND	IXTP26P20P	IXYS	MOSFET P-CH 200V 26A TO-220	管件	PolarP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	200V	26A（Tc）	10V	4V @ 250μA	56nC @ 10V	2740pF @ 25V	±20V	-	300W（Tc）	170 毫欧 @ 13A，10V	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-220AB	TO-220-3
IXTQ52P10P-ND	IXTQ52P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 52A TO-3P	管件	PolarP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	100V	52A（Tc）	10V	4.5V @ 250μA	60nC @ 10V	2845pF @ 25V	±20V	-	300W（Tc）	50 毫欧 @ 500mA，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-3P	TO-3P-3，SC-65-3
IXTH200N10T-ND	IXTH200N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 200A TO-247	管件	TrenchMV??	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	100V	200A（Tc）	10V	4.5V @ 250μA	152nC @ 10V	9400pF @ 25V	±30V	-	550W（Tc）	5.5 毫欧 @ 50A，10V	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247（IXTH）	TO-247-3
IXFH26N50P-ND	IXFH26N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 26A TO-247	管件	HiPerFET?，PolarHT?	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	500V	26A（Tc）	10V	5.5V @ 4mA	60nC @ 10V	3600pF @ 25V	±30V	-	400W（Tc）	230 毫欧 @ 13A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AD（IXFH）	TO-247-3
IXFA4N100Q-ND	IXFA4N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263	管件可替代的包装	HiPerFET??	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	1000V（1kV）	4A（Tc）	10V	4.5V @ 1.5mA	39nC @ 10V	1050pF @ 25V	±20V	-	150W（Tc）	3 欧姆 @ 2A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-263（IXFA）	TO-263-3，D2Pak（2 引线+接片），TO-263AB
IXFH60N50P3-ND	IXFH60N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 60A TO247	管件	HiPerFET?，Polar3?	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	500V	60A（Tc）	10V	5V @ 4mA	96nC @ 10V	6250pF @ 25V	±30V	-	1040W（Tc）	100 毫欧 @ 30A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AD（IXFH）	TO-247-3
IXTH90P10P-ND	IXTH90P10P	IXYS	MOSFET P-CH 100V 90A TO-247	管件	PolarP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	100V	90A（Tc）	10V	4V @ 250μA	120nC @ 10V	5800pF @ 25V	±20V	-	462W（Tc）	25 毫欧 @ 45A，10V	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-247（IXTH）	TO-247-3
IXFH40N30-ND	IXFH40N30	IXYS	MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD	管件	HiPerFET??	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	300V	40A（Tc）	10V	4V @ 4mA	200nC @ 10V	4800pF @ 25V	±20V	-	300W（Tc）	85 毫欧 @ 500mA，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AD（IXFH）	TO-247-3
IXFH26N50Q-ND	IXFH26N50Q	IXYS	MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD	管件	HiPerFET??	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	500V	26A（Tc）	10V	4.5V @ 4mA	95nC @ 10V	3900pF @ 25V	±20V	-	300W（Tc）	200 毫欧 @ 13A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AD（IXFH）	TO-247-3
IXTT16P60P-ND	IXTT16P60P	IXYS	MOSFET P-CH 600V 16A TO-268	管件	PolarP??	在售	P 沟道	MOSFET（金属氧化物）	600V	16A（Tc）	10V	4.5V @ 250μA	92nC @ 10V	5120pF @ 25V	±20V	-	460W（Tc）	720 毫欧 @ 500mA，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-268	TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA
IXFH58N20-ND	IXFH58N20	IXYS	MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD	管件	HiPerFET??	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	200V	58A（Tc）	10V	4V @ 4mA	220nC @ 10V	4400pF @ 25V	±20V	-	300W（Tc）	40 毫欧 @ 29A，10V	-55°C ~ 150°C（TJ）	通孔	TO-247AD（IXFH）	TO-247-3
IXTT16N20D2-ND	IXTT16N20D2	IXYS	MOSFET N-CH 200V 16A TO-268	管件	-	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	200V	16A（Tc）	-	-	208nC @ 5V	5500pF @ 25V	±20V	耗尽模式	695W（Tc）	73 毫欧 @ 8A，0V	-55°C ~ 150°C（TJ）	表面贴装	TO-268	TO-268-3，D3Pak（2 引线+接片），TO-268AA
IXTK180N15P-ND	IXTK180N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 180A TO-264	管件	PolarHT??	在售	N 沟道	MOSFET（金属氧化物）	150V	180A（Tc）	10V	5V @ 500μA	240nC @ 10V	7000pF @ 25V	±20V	-	800W（Tc）	10 毫欧 @ 90A，10V	-55°C ~ 175°C（TJ）	通孔	TO-264（IXTK）	TO-264-3，TO-264AA

与《ixys半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 单》相关列表

· ixys芯片,ixys集成电路 2017/3/30
· ixys半导体，晶体管 - UGBT，MOSFET - 单 2017/3/30
· IXYS艾赛斯IGBT驱动芯片IXDN404应用及改进 2017/3/29
· IXYS Corporation 2017/3/29
· IXYS IGBT参数资料大全 2017/3/29
· IXYS推出圆柱形LF只读RFID标签 2017/3/29

ixys半导体，晶体管 - FET，MOSFET - 单