IXTH48P20P【FET-单】IXYS|艾赛斯
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| 数据列表 |
IXT(H,T)48P20P |
|---|---|
| 产品相片 |
TO-247-3 |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | PolarP™ |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 48A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 85 毫欧 @ 500mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 103nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 5400pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 462W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
公司简介
深圳市创唯电子有限公司 是全国性最出色的進口电子器件分销。关键批發兼零售业全球著名生产商的五金机械射频连接器 电缆电线 IC集成电路芯片 航空公司连接头 汽车继电器 控制器 接线端子排等上万种商品数万种型号规格，商品涉及到电脑上 通信 小车 家用电器 互联网 嵌入式等诸多行业，并联接技术领先的技术性出示包含普遍行业的顾客服务提供商和供性价比高的个性化服务。
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 参考库存 | 起订量 |
参考单价 (含税) |
货期 (工作日) |
操作 |
|
IXTH48P20P [更多] |
IXYS Corporation |
MOSFET P-CH 200V 48A TO-247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes |
964 1起订 |
1+ 10+ 100+ 500+ |
￥93.53 ￥84.2 ￥69.23 ￥58 |
6-10天 |
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行业资讯
MOS场效应管的工作原理
1. MOS管工作原理--MOS管简介
MOS管又称场效应管，即在集成电路中绝缘性场效应管。MOS英文全称为Metal-Oxide-Semiconductor即金属-氧化物-半导体，确切的说，这个名字描述了集成电路中MOS管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能,这样的器件被认为是对称的。
2. MOS管工作原理--Mos管的结构特点
MOS管的内部结构如下图所示;其导通时只有一种极性的载流子(多子)参与导电，是单极型晶体管。导电机理与小功率MOS管相同，但结构上有较大区别，小功率MOS管是横向导电器件，功率MOSFET大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET，大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力。
其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，该管导通时在两个高浓度n扩散区间形成n型导电沟道。n沟道增强型MOS管必须在栅极上施加正向偏压，且只有栅源电压大于阈值电压时才有导电沟道产生的n沟道MOS管。n沟道耗尽型MOS管是指在不加栅压(栅源电压为零)时，就有导电沟道产生的n沟道MOS管。
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