IXYH50N120C3D1【IGBT-单】IXYS|艾赛斯
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| 数据列表 |
IXYH50N120C3D1 |
|---|---|
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | IGBT - 单路 |
| 系列 | GenX3™, XPT™ |
| 包装 | 管件 |
| IGBT 类型 | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 1200V |
| 不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) | 4V @ 15V，50A |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 90A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | - |
| 功率 - 最大值 | 625W |
| Switching Energy | - |
| 输入类型 | 标准 |
| Gate Charge | - |
| Td (on/off) A 25°C | - |
| Test Condition | - |
| 反向恢复时间 (trr) | - |
| 封装/外壳 | TO-247-3（TO-247AD） |
| 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
公司简介
深圳创唯电子——我司秉着 “集聚資源、诚实守信协作”的信心；坚持不懈“顾客至上、质量首位”的经营管理理念。
我司以代理、经销商知知名品牌电子元件主导，关键运营的商品包含：射频连接器、保险管、电源开关、汽车继电器及其电子器件輔助塑料配件等。一直以来企业以诚实守信、高效率、添富蓝筹，以民为本、开拓进取；凭着商品的平稳质量和日端电子人的技术专业服务项目，一心一意着眼于家用电器、电动机、电梯轿厢、通讯、工控自动化、电力工程操纵及其小车等行业的营销推广。考虑了不一样顾客的要求，获得了众多客户的称赞和适用。
商品以环境保护、品质平稳为核心理念，关键按照殴美、日本、法国等海外有知名度國家为规范，为全力以赴打造出全新中国式家庭的电子元件集成化服务提供商而勤奋！
企业凭着首批高新技术、高质量的复合型人才，以技术专业、真心实意为服务项目；我们在出示高档射频连接器解决方法，协助我们的顾客在销售市场上带大量的市场竞争机遇。
公司理念：
我们企业存有的原因是：为顾客出示高品质的服务项目；
顾客必须是我们企业发展的驱动力，都是我们企业长期以来的战略定位！
商品范畴：
企业关键运营的产品有：IXYS、cosel、Phoenix Contact、TYCO、AMP、MOLEX、FCI、AMPHENOL、JST、KET、KST、OMRON、LITTELFUSE、VISHAY 、RICHCO、OUPIIN、JITEMOLEX、Cvilux、OMRON汽车继电器等全国各地的射频连接器；协作取决于以诚相待！我们在追求完美盈利的前提条件下，一起兼具考虑到价钱合理化、及其出示顾客的真实有效！企业有着普遍而平稳的供应链管理,供应链管理的平稳来源于于中国各省、世界各国的OEM生产商, 平稳的供应链管理为我们的顾客立即供货原材料确立了基本，使顾客在最少的時间里把商品走向市场，为我们的顾客在销售市场上获得了大量的市场竞争机遇!
| 型号 | 制造商 | 描述 | 参考库存 | 起订量 |
参考单价 (含税) |
货期 (工作日) |
操作 |
|
IXYH50N120C3D1 [更多] |
IXYS Corporation |
IGBT 1200V 90A 625W TO247 RoHS: Compliant | pbFree: Yes |
0 1起订 |
1+ 10+ 25+ 100+ 250+ 500+ 1000+ |
￥83.28 ￥74.95 ￥68.29 ￥61.62 ￥56.63 ￥51.63 ￥44.97 |
6-10天 |
搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 参考库存 | 起订量 |
参考单价 (含税) |
货期 (工作日) |
操作 |
|
IXYH50N120C3D1 [更多] |
IXYS Corporation |
IGBT Transistors XPT 1200V IGBT GenX6 XPT IGBT RoHS: Compliant |
194 1起订 |
1+ 10+ 25+ 100+ 250+ 500+ 1000+ |
￥102.63 ￥92.76 ￥88.45 ￥76.76 ￥73.41 ￥66.89 ￥58.27 |
6-10天 | 搜索 |
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行业资讯
直流/直流转换器中的同步整流技术。
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近年来，电子技术的发展使电路工作电压越来越低，电流越来越大。低压工作有利于降低电路总体功耗，但也为电源设计提出了新的难题。
开关电源的损失主要由电力开关管的损失、高频变压器的损失、输出端整流管的损失三部分构成。低电压、大电流输出时，整流二极管的导通压高，输出端整流管损耗特别突出。快速恢复二极管(FRD)或超快速恢复二极管(SRD)达到1.0~1.2V，即使采用低压降低的肖特基二极管(SBD)，也会产生约0.6V的压降，整流损失增大，电源效率下降。
同步整流是采用通态电阻极低的专用功率MOSFET，取代整流二极管，降低整流损失的新技术。它可以大大提高直流/直流变换器的效率，不存在肖特基势垒电压引起的死区电压。功率MOSFET是电压控制型设备，通信时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET制作整流器时，格栅电压必须与被整流电压的相位同步，以完成整流功能，因此被称为同步整流。
同步整流管的驱动方式有三种
第一种是增加驱动控制电路，其驱动波形质量高，调试方便。缺点是电路复杂，成本高，追求小型化和低成本的今天只有研究价值，几乎没有应用价值。
二是自动驱动同步整流。其优点是直接由变压器副边的绕组驱动，或在主变压器上加独立的绕组驱动，电路简单，成本低，驱动适应性强，广泛应用于商业产品。其缺点是调整电路的灵活性小，在宽输入低压范围时，部分波形需要增加限度整形电路来满足驱动要求。Vgs的正向驱动与输出电压成正比，通过调节驱动绕组的圈数，可以确定比例系数，输出电压也非常稳定，因此驱动电压也非常稳定。麻烦的是，负电压可能超标，因此在设计变压器变速比时，应考虑驱动负压幅度。
第三种是半自我驱动。其驱动波形的上升和下降沿，一个是主变压器提供的信号，另一个是独立的外驱动电路提供的信号。针对自驱动负压问题，使用单独的放电回路，提供同步整流管的关闭信号，避免了自驱动负压放电的电压超标问题。
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