IXFK220N17T2【FET-单】IXYS|艾赛斯
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IXFK220N17T2

IXFK220N17T2 IXYS艾赛斯全系列索引
制造商型号： IXFK220N17T2
制造商： IXYS
描述： MOSFET N-CH 170V 220A TO-264
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳全新原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量全新原装正品现货
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产品信息

数据列表 IXFx220N17T2
产品相片 TO-264
标准包装   25
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 GigaMOS™ TrenchT2™ HiperFET™
包装   管件  
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 170V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 220A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） 6.3 毫欧 @ 60A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 500nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 31000pF @ 25V
功率 - 最大值 1250W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA
供应商器件封装 TO-264
公司简介

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型号 制造商 描述 参考库存 起订量 参考单价
(含税) 		货期
(工作日) 		操作
IXFK220N17T2
[更多] 		IXYS Corporation

MOSFET N-CH 170V 220A TO-264

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

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行业资讯

半导体材料——硅锗
自90 年代以来，硅锗（SiGe）成为了一种流行的半导体材料，其生产量猛增。但是这种半导体并不是一夜之间就成功的。实际上，作为硅和锗的混合物，SiGe 是被人们偶然发现的。
偶得 SiGe
在 1970 年代和 1980 年代，IBM 研究员 Bernard Meyerson（梅耶森）博士不小心将一小块刚刚用氢氟酸清洗过的硅片掉到了地面上。当他用水冲洗硅片以清除灰尘时，他注意到硅片具有防水性。
后来，梅耶森（Meyerson）发现，用氢氟酸清洗硅时，会形成保护性氢层，从而无需将硅加热到 1000°C 即可除去硅中的污染性氧化物。在 600°C 下，氢层吹散并生成氧化物。这一发现使 IBM 的科学家能够在 550°C 的温度下生长硅锗。
硅锗的优势
自偶然发现和商业化以来，SiGe 技术已经走了很长一段路。从那时起，电路设计人员发现，就功耗和性能而言，这种材料比硅更有效，同时还提高了设备的频率和振荡能力。
通过使用 SiGe 技术，电路设计人员可以受益于经济高效的解决方案，该解决方案的尺寸比硅要小。
根据 MACOM 的说法，SiGe 的其他一些优点包括：
系统成本低
节能省电
集成的多种可能性 
高电子移动性 
小尺寸 
高频和振荡能力
由于 SiGe 中的电子迁移率比硅快，因此 SiGe 在消费电子，汽车应用，电信，计算机技术和航空航天设备中很常见。
SiGe 的关键应用
恩智浦肖特基和 SiGe 整流器的产品经理 Jan Fischer（菲舍尔）解释说，某些行业，例如汽车行业，需要一种能够在高温下工作并追求效率的半导体，无论是小型化、性能还是法规遵从性。
菲舍尔说：“正如我们在其他功率半导体解决方案中所看到的那样，体硅器件难以提供当今某些高性能电子系统所要求的性能和热稳定性。”
“需要一种能够实现最高效率、热稳定性和节省空间的新颖技术。”
许多设计人员认为 SiGe 是推动汽车，电信和太阳能行业创新的“新颖技术”的重要材料。
汽车行业
作为 SiGe 如何在汽车设计中取得长足进步的一个例子，让我们评估一下 Nexperia 最近发布的 SiGe 整流器。
Nexperia 的 SiGe 整流器系列具有 120 V、150 V 和 200 V 反向电压。该公司将这些 SiGe 整流器描述为设计师的“游戏规则”改变者，因为它们可以在热失控产生之前承受 175°C 的温度，从而提供安全的工作空间。
设计人员可以利用这种热容量 - 提高设计效率，而无需依靠快速恢复二极管来应对高温。
电信
由于 SiGe 的饱和电压低于硅，因此可以用于大电流应用。Maxim Integrated 在有关 SiGe 技术如何增强 RF 前端性能的文章中阐明了这一点。 
Maxim 将其 SiGe GST-3 双极晶体管与其 GST-2 硅晶体管进行了比较，显示出增益与噪声之间的差异。在下图中，您可以看到 GST-3 比 GST-2 具有更高的性能和更低的噪声。
使用 SiGe 时，可以处理更大、更高质量的信号范围。
太阳能
SiGe 的生长方式也可以提高 SiGe 的性能和多功能性，这一点 NASA 可以证明。
NASA 研究人员发现，通过使用晶格生长方法在蓝宝石衬底上生长 SiGe，他们可以使用同一晶片在另一侧生长氮化镓或氮化铟镓层，从而制造出了具有太阳能功能的 LED 显示屏。
太阳能应用通常具有低能量转换率（通常为 15％至 20％）。但是对于 SiGe 太阳能电池，该数量的能量转换效率可能会上升到 30％-40％。使用单晶 SiGe 还可以将太阳能电池板系统的使用寿命从 25 到 30 年提高到大约 80 年。
同样值得一提的是，大多数用于太阳能应用的材料比 SiGe 更昂贵且含量更低。
SiGe 的权衡
尽管 SiGe 在要求更高电子迁移率的应用中很有用，但它确实存在折衷设计者应注意的问题。例如，对于在极高温度下运行的设备而言，硅仍然是最主要的。即使 SiGe 的价格低于砷化镓（GaAs），也比硅贵。
尽管硅和锗是丰富的材料，但在实验室中结合使用时，它们的成本确实很高。幸运的是，SiGe 的日益普及使其近年来变得更容易使用，尤其是在面向汽车，电信和太阳能环境的组件中。

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