IXYS半导体,IXYS晶体管,FET - 单IXTY08N100D2,IXYS代理商
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| 数据列表 | IXT(Y,A,P)08N100D2 |
|---|---|
| 产品相片 | TO-263 |
| 标准包装 | 70 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 1000V（1kV） |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 800mA （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 21 欧姆 @ 400mA，0V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 14.6nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 325pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 60W |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
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晶体管是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。
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IXTY08N100D2
IXTA10P50PTRL
IXTA3N120TRL
IXTP96P085T
IXTA76P10T
IXTA96P085T
IXTP10P50P
IXTA52P10P
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