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IXTL2X180N10T

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数据列表 IXTL2X180N10T
标准包装   25
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 阵列
系列 TrenchMV™
包装   管件  
FET 类型 2 个 N 沟道(双)
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 100V
电流 - 连续漏极 (Id)(25° C 时) 100A
不同?Id、Vgs 时的?Rds On(最大值) 7.4 毫欧 @ 50A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 151nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 6900pF @ 25V
功率 - 最大值 150W
安装类型 通孔
封装/外壳 ISOPLUSi5-Pak?
供应商器件封装 ISOPLUSi5-Pak?


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晶体管是一种固体半导体器件,具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关,能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关不同,晶体管利用电讯号来控制自身的开合,而且开关速度可以非常快,实验室中的切换速度可达100GHz以上。

 

 

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