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IXTA200N055T2

IXTA200N055T2 - MOSFET N-CH 55V 200A TO-263
IXYS IXTA200N055T2
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商: IXYS
制造商产品编号:IXTA200N055T2
仓库库存编号:IXTA200N055T2-ND
描述:MOSFET N-CH 55V 200A TO-263
ROHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:表面贴装 N 沟道 200A(Tc) 360W(Tc) TO-263(IXTA)
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公司简介

深圳市创唯电子有限公司于2011年在广东省深圳市成立,是一家以代理进口高新产品主导的高新科技公司,提供电子元器件一站式套服务项目,有着好几个技术专业销售组织,公司代理商品有:高见泽(TAKAMISAWA)、富士通(FUJITSU)、omron(OMRON)、康佳(NAIS)、泰科(TYCO)、王利(OEG)、西班牙芬德(FINDER)、厦门宏发(HONGFA)、福特汽车继电器,松下连接器、广赖射频连接器、京瓷射频连接器等。高品质的商品,非凡的服务项目,获得了众多客户的信任与大力支持,有着平稳且不断发展的客户群,具备优良的商业服务信誉度。公司核心理念 公司一贯以"高品质靠谱的商品、真心实意的服务项目、优良的信誉度"为服务宗旨。获得了诸多客户的称赞和适用。从而,公司的销售业绩和经营规模每一年都会快速提高,营销网络覆盖全国全国各地。人们将会一如继往,持续精雕细琢为客户提供更高品质的商品和高品质的服务项目!

IXTA200N055T2产品属性

产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  IXYS  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  TrenchT2??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-263(IXTA)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  109nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  4.2 毫欧 @ 50A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  200A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  6800pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  360W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  55V  
关键词         

产品资料 
数据列表 IXT(A,P)200N055T2
标准包装 50

行业小资讯

什么叫扇出型封裝?其有什么难题挑戰?

优秀封裝技术性已进到很多移动智能终端销售市场,但急待更高档的机器设备和更成本低的加工工艺制造。

更致密的扇出型封裝正向着具备更细致走线层的繁杂构造发展趋势,全部这种都必须更强劲的光刻机器设备和其他生产制造机器设备。

最新消息的致密扇出型封裝技术性已经提升 1μm 图形界限 / 间隔(line/space)限定,这被觉得是制造行业中的里程碑式。有着这种重要规格(critical dimensionCD),扇出型技术性将提供更佳的特性,可是要超过并提升 1μm 的堡垒,还面临生产制造和成本费的挑戰。除此之外,现阶段还只能极少数客户必须那样优秀的封裝技术性。

即便如此,扇出型封裝在诸多销售市场上正变得更加火爆。“移动终端依然是高密度和致密扇出型封裝的关键提高推动力。”日月光(ASE)高級工程项目主管 John Hunt 表达,“伴随着人们一级和二级的扇出技术性得到验证,汽车制造业将刚开始加快发展趋势。高档销售市场的服务器应用也在提高。”

重走线层(Redistribution LayerRDL)是扇出型封裝的重要一部分。RDL 是在圆晶表层堆积金属材料层和物质层并产生相对的金属材料走线图型,来对集成ic I/O 端口号开展再次合理布局,将其布局到新的、节径占位可更加比较宽松的地区。RDL 选用图形界限(line)和间隔(space)来量度,图形界限和间隔各自就是指金属材料走线的总宽和他们中间的间距。

扇出型技术性可分为两大类:高密度和致密。高密度扇出型封裝由超过 8μ line/space8-8μm)的 RDL 构成。致密扇出型封裝有双层 RDLCD  8-8μ及下列,关键运用于网络服务器和智能机。一般来说,5-5μ是流行的致密技术性,1-1μ及下列现阶段还要产品研发中。

“就设计方案标准的激进派水平来讲,现阶段依然有各式各样的扇出型技术性。许多商品都遭受尺寸、特性及其成本费等要素的危害。”Veeco 全世界光刻运用高级副总裁 Warren Flack 讲到,“具备较小 CD 的重走线层可以降低扇出型封裝中的重走线叠加层数。这能减少总体封裝成本费并提升合格率。”

成本费是很多封装厂必须考虑到的要素。由于并不是全部客户都必须致密扇出型封裝。趣味性(十分小)CD 的扇出技术性相对性价格昂贵,仅限高档客户。喜讯是,除开致密扇出型封裝以外,也有其他很多成本低的封裝技术性可提供选择

随后,另一方面,客户也已经促进封裝生产商减少其生产制造成本费,非常是针对扇出型封裝和其他优秀封裝。在扇出型封裝中,几个加工工艺流程,包含光刻——一种结构类型产生微小特点图样的方式。

在封裝行业,有几类不一样的光刻机器设备种类,比如指向式曝光机、立即显像、激光器缝隙腐蚀和步进式曝光机(stepper),每一项技术性工作能力不一样。换句话说,封裝生产商将会会应用不一样的机器设备种类开展扇出型封裝。

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