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IXTA180N10T

IXTA180N10T - MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
IXYS IXTA180N10T
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商: IXYS
制造商产品编号:IXTA180N10T
仓库库存编号:IXTA180N10T-ND
描述:MOSFET N-CH 100V 180A TO-263
ROHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:表面贴装 N 沟道 180A(Tc) 480W(Tc) TO-263(IXTA)
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公司简介

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IXTA180N10T产品属性

产品规格
  封装/外壳  TO-263-3,D2Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB  
  制造商  IXYS  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 175°C(TJ)  
  系列  TrenchMV??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-263(IXTA)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  151nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  6.4 毫欧 @ 25A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  180A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  6900pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4.5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  480W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  100V  
关键词         

产品资料 
数据列表 IXT(A,P)180N10T
标准包装 50
其它名称 615943 
行业小资讯

根据 PIN Diode 频射电源开关的调节

在小输出功率无线产品频射电路设计方案中,人们经常采用 CMOSGaAsSOI 等加工工艺的频射元器件,其外场电源电路非常简单,一般只必须相互配合电子元器件就能够 一切正常工作中。可是在功率场所,设计方案工作中就变得复杂起來,一般必须应用 PIN Diode 频射电源开关。无线网络时期在最近的一款功率无线网络设备产品研发全过程中,就应用了 Skyworks  SKY12207-478LF PIN Diode 电源开关,并且为其设计方案了适合的光耦电路,根据调节,早已能够 一切正常工作中。

SKY12207-478LF 关键特点

大功率,CW Continue Wave50W,谷值输出功率 300W

低插入损耗,典型值 0.4dB

高隔离度,42dB@2.6GHz

适用 TD-SCDMAWiMAXLTE 通信基站等机器设备

SKY12207-478LF 原理简述

人们姑且错误 SKY12207-478LF 的关键点原理做深层次的讨论。下面的图是 SKY12207-478LF 的等效框图,其通断情况由加进 ANT web 5V  TX/RX web 28V/0V 参考点工作电压来决策,比如,处在发射点情况下,TX 设定为 0V,而 RX 端设定为 28V

SKY12207-478LF 的参考点工作电压为 28V,这与功率管 LDMOS 的供电系统工作电压一致。Datasheet 中得出了 SKY12207-478LF 的参照设计方案电源电路及相匹配的真值表。

那麼,要是搭建出合乎真值表的光耦电路,就能够 使 SKY12207-478LF 一切正常工作中。

PIN Diode 频射电源开关光耦电路设计方案

这一商品是无线网络时期网上平台以前提及过的超功率频射功率放大器,光耦电路设计方案深入分析全过程以下:

来源于收取和发送辨别电源电路的逻辑性工作电压为 5V,用 5V 的逻辑性工作电压保持对 28V 参考点工作电压的操纵,MOS 管是最好的选择

一样的端口号(TX/RX/RXBIAS)能够 提供 28V 供电系统,还可以保持对地短路故障,另外可以能够 提供适合的参考点电流量

合乎真值表的操纵逻辑性

尽可能采用封裝规格较小的元器件

我参考了 DCDC 的电路,设计方案了以下的光耦电路,电路原理图中 PIN Diode 频射电源开关型号规格为 SKY12210-478LF,与 SKY12207-478LF pin-to-pin。在其中,来源于收取和发送辨别电源电路的 TX_EN  RX_EN 逻辑性电平一直反过来的,那样,Q3Q5 不可以另外通断,Q6Q8 也不可以另外通断。自然这类方式 有一定的局限,电源开关頻率过高时将会会出現难题,许多电源芯片在这些方面都干了独特解决,本设计方案不做考虑到。

光耦电路中应用了四颗 NMOS 与二颗 PMOS,全是 Vishay 公司的 SOT-23 封裝的 MOS 管。当来源于收取和发送辨别电源电路的 TX_EN 为“1”时,RX_EN 为“0”,Q5 通断,Q4 截至,Q3  Vgs=0Q3 截至,相匹配的 RX28 互联网对地短路故障,即 TX  RXBIAS 端口号均为 0VQ8  Vgs=0Q8 截至,Q7 通断,Q6  Vgs<0Q6 通断,相匹配的 TX28 数据连接至 28V 开关电源,即 RX 端口号为 28V,合乎真值表。当来源于收取和发送辨别电源电路的 TX_EN 为“0”时,RX_EN 为“1”时,MOS 管导通 / 截至情况与所述全过程反过来,一样考虑真值表。

PIN Diode 频射电源开关光耦电路调节

在明确收取和发送辨别电源电路能够 恰当地得出逻辑性电平以后,发觉 Q8 非常非常容易毁坏,非常容易想起一定是有很大的电流量穿过 Q8,才会那样。设计方案全过程中早已细心确定过,Si2308 彻底能够 担任 1A 左右的电流量,而 TX26  RX28 互联网常有限流电阻,穿过 Q8 的电流量不太可能超出 1A,那麼唯一的将会就是说 Q6 导能通!TX_EN 为“0”时,RX_EN 为“1”时,Q7 恰当地处在截至情况,Q6  Vgs=0,照理说 Q6 不太可能通断,那麼唯一的将会就是说 Q6 有很大的泄露电流。

 Si2309  Datasheet 中依然看不出来难题,不加思索将 Si2309 拆换为 Si2305,一样是一颗 PMOS,出現于 TI  TPS23754 802.3at PD 解决方法中,Si2305 的典型性特点是很高的工作频率,能够 超过 -150V。将 Q3Q6 均拆换为 Si2305PIN Diode 频射电源开关 SKY12207-478LF 总算能够 一切正常工作中了。

在此次调节设计方案与调节全过程中,无线网络时期充足结合了每个电源电路控制模块的设计方案调节工作经验,选用与 DCDC 相近的光耦电路,并应用了 PoE 电源电路中的髙压 MOS 管,最后保持了对 PIN Diode 频射电源开关的驱动器。在之后的科学研究中,发觉有许多制好的 PIN Diode 电源开关驱动器集成ic,也是选用分立元件的方式 ,有兴趣爱好的阅读者能够 研究。

PIN 二极管(posiTIve-intrinsicnegaTIve diode,简称为 PIN Diode),是在二种半导体材料中间的 PN 结,或是半导体材料与金属材料中间的结的相邻地区,消化吸收光辐射而造成光电流的一种光探测器。一般的二极管由 PN 结构成,在 P  N 半导体器件中间添加一层析低夹杂的本征(Intrinsic)半导体材料层,构成的这类 P-I-N 构造的二极管就是说 PIN 二极管。

加负工作电压(或零偏压)时,PIN 管等效为电容器+电阻器;加正工作电压时,PIN 管等效为小电阻器。用更改构造规格及挑选 PIN 二极管参数的方式 ,使短路故障的台阶脊波导的反射面位置(标准位置)与加正工作电压的 PIN 管操纵的短路故障波导的反射面位置同样。还规定加负工作电压(或 0 参考点)的 PIN 管操纵的短路故障波导的反射面位置与规范位置反过来(-164°~+164°中间就能)。

PIN Diode(二极管)频射电源开关光耦电路设计方案与调节续(2014  6  25 日)

文中前几日提及的解决方法,在之后的检测中出現了难题,为了避免欺诈阅读者,我还在此作出调整。

上文提及 Si2309 出现异常毁坏,后历经细心反复推敲,深入分析,发觉有两层面缘故,一是 N-MOS 在应当截至的時刻出现意外通断,二是 Si2309  Vgs 超出了其较大承担范畴。

当系统软件处在接受情况时,RX_EN 应是逻辑性 1TX_EN 应是逻辑性 0,依照一切正常测算,当 TX_EN 为逻辑性 1 时,A7 通断,Q6  Vgs=28*(1/11  1)= -24.5V,超过了 Si2309 Datasheet +-20V 的范畴。

具体检测时,一件出乎意料的事儿产生了,TX_EN 为逻辑性 0 时,具体的工作电压值时 0.7V,而这小小 0.7V 居然令 Q7 导能通,这与 Si2309 中常叙述的天差地别,当 Vgs  0.7V 时,Id 应是 0Si2309 应处在截至情况,而具体并不是这样。

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