• FET - 单
• FET - 阵列
• IGBT - 单路
• IGBT - 模块
• SCR - 单个
• SCR - 模块
• 二极管，整流器 - 阵列
• 单二极管/整流器
• 桥式整流器
• 电路保护
• 集成电路

IXFN48N50 IXYS艾赛斯全系列索引

制造商型号： IXFN48N50
制造商： Ixys
描述： MOSFET 500V 48A
技术参考：  PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
订购热线： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

由于产品数据库庞大，部分产品信息可能未能及时更新，下单前请与销售人员确认好实时在库数量，谢谢合作！

公司简介

深圳市创唯电子有限公司 是全国性最出色的進口电子器件分销。关键批發兼零售业全球著名生产商的五金机械射频连接器 电缆电线 IC集成电路芯片 航空公司连接头 汽车继电器 控制器 接线端子排等上万种商品数万种型号规格，商品涉及到电脑上 通信 小车 家用电器 互联网 嵌入式等诸多行业，并联接技术领先的技术性出示包含普遍行业的顾客服务提供商和供性价比高的个性化服务。

   企业自创立至今始终秉诚“以质取胜，价格实惠，供货便捷，顾客至上”的经营管理理念，并按如今企业制度规定，创建原厂的经营体制，塑造高水平运动员的市场销售 追踪团队，便于我们在短时间内对你的要求做出回应，并携手并肩全世界众店家创建优良的服务平台，着力打造制造行业先峰

猜你喜欢

• 参考图片
• 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名
• PDF
• 参考库存数 / 价格 / 订货
• 操作

• 
  
• Texas Instruments
  IC COMPL MOSFET DRVR TO-220-5
  详细描述：Low-Side Gate Driver IC Inverting, Non-Inverting TO-220-5
  型号：UC3710T
  仓库库存编号：296-11247-5-ND
  别名：296-11247-5
  
• 无铅
• 2,496 可立即发货 厂方库存 : 10,000
  可于1-2周内送达
  1 + ￥73.5
  更多价格信息...
  原厂订货交期：6 周
  
• 搜索

行业资讯

结型场效应管
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体两端分别引出两个电极，分别称为漏极d，源极s。
1.什么是结型场效应管
结型场效应晶体管（Junction Field-Effect Transistor，JFET）：JFET是由p-n结栅极(G)与源极(S)和漏极(D)构成的一种具有放大功能的三端有源器件。其工作原理就是通过电压改变沟道的导电性来实现对输出电流的控制。
对于结型场效应晶体管（JFET），最常见到的是耗尽型JFET（D-JFET），即在0栅偏压时就存在有沟道 的JFET；一般，不使用增强型JFET（E-JFET）——在0栅偏压时不存在沟道 的JFET。这主要是由于长沟道E-JFET在使用时较难以产生出导电的沟道、从而导通性能不好的缘故。不过，由于高速、低功耗电路中应用的需要，有时也需要采用E-JFET。
JFET导电的沟道在体内。耗尽型和增强型这两种晶体管在工艺和结构上的差别主要在于其沟道区的掺杂浓度和厚度。D-JFET的沟道的掺杂浓度较高、厚度较大，以致于栅pn结的内建电压不能把沟道完全耗尽；而E-JFET的沟道的掺杂浓度较低、厚度较小，则栅pn结的内建电压即可把沟道完全耗尽。
但是，对于短沟道E-JFET，情况则有所不同，因为这种晶体管的漏极电压可以作用到源极附近，使得沟道中的势垒降低，所以能够形成导电沟道。这种E-JFET从本质上来说也就是静电感应晶体管。
在导电机理上与JFET相同的场效应晶体管就是Schottky栅极场效应晶体管（MESFET），这里只是用金属-半导体接触的Schottky结代替了p-n结作为栅极。
另外还有一种场效应晶体管，就是高电子迁移率晶体管（HEMT），这种器件在结构上与MESFET类似，但是在工作机理上却更接近于MOSFET。
此外，MOSFET的衬偏效应实际上也就是JFET的一种作用。
2.结型场效应管特点
JFET的特点是：
①是电压控制器件，则不需要大的信号功率。
②是多数载流子导电的器件，是所谓单极晶体管，则无少子存储与扩散问题，速度高，噪音系数低；而且漏极电流Ids的温度关系决定于载流子迁移率的温度关系，则电流具有负的温度系数，器件具有自我保护的功能。
③输入端是反偏的p-n结, 则输入阻抗大, 便于匹配。
④输出阻抗也很大, 呈现为恒流源，这与BJT大致相同。
⑤JFET一般是耗尽型的，但若采用高阻衬底, 也可得到增强型JFET(增强型JFET在高速、低功耗电路中很有应用价值)；但是一般只有短沟道的JFET才是能很好工作的增强型器件。实际上，静电感应晶体管也就是一种短沟道的JFET。
⑥沟道是处在半导体内部，则沟道中的载流子不受半导体表面的影响，因此迁移率较高、噪声较低。
3.结型场效应管作用
作用：
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
2.场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变电阻。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作电子开关。

询价

• · IRFP264 2021/5/11
• · IXTP450P2 2021/5/11
• · IXEL40N400 2021/5/11
• · IXTQ96N20P 2021/5/11
• · IXFH12N90 2021/5/11
• · IXTQ82N25P 2021/5/11
• · IXFK27N80Q 2021/5/11
• · IXFH44N50P 2021/5/11