IXTP450P2【FET-单】IXYS|艾赛斯
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IXTP450P2

IXTP450P2  IXYS艾赛斯全系列索引
制造商型号： IXTP450P2
制造商： IXYS
描述： MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
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产品信息

数据列表 IXTP/TQ/TH450P2
产品相片 TO-220-3, TO-220AB
标准包装   50
类别 分立半导体产品
家庭 FET - 单
系列 PolarP2™
包装   管件  
FET 类型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能 标准
漏源极电压 (Vdss) 500V
电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） 16A （Tc）
不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） 330 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) 43nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) 2530pF @ 25V
功率 - 最大值 300W
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-220-3
供应商器件封装 TO-220AB
公司简介

深圳市创唯电子器件是潜心本身一百二十余种知名品牌，五十多万条现货交易库存量供货的一起接纳700万条不一样型号规格的全世界订购，对全世界3000多家原装及代理开展密不可分协作无间隙连接，即时对各知名品牌各型号规格原材料的价钱、总数开展立即反映，维持价钱的优势之一及货品的不断供货。根据持续改进生产商供应链，协助生产商在产品研发，购置，生产制造，货运物流，库房，资产各种方面上控制成本，减少交货期，优点的电子器件分销商服务项目及业界优良的用户评价我们一起变成全世界好几家世界各国著名顾客的优选经销商。 创唯电子器件分销商的产品系列主要用途包含消费电子产品电子器件、电脑上及附近、通信、电信网、嵌入式、智能安防、开关电源、新能源技术、汽车电子及医疗器械，在库存量不可以以客户为中心时，我们将以控制成本出示多方位的一站式服务电子元器件供应链管理解决方法。 创唯很多年来一直坚持“顾客首位、服务项目首位、信誉至上、质量首位"的标准，逐步完善公司的管理，持续持续改善企业服务管理管理体系，我们不仅是要搞好营销推广，更必须的是持续为顾客创造财富，为不断提高用户体验，为争当全世界复合型经销商的引领者，我们自始至终在勤奋着···我们经销商批發的IXYS|艾赛斯、cosel科索、Phoenix Contact菲尼克斯、AD、德州仪器TI、ATMEL、IR、安生美ON、美信MAXIM、飞思卡尔freescale、MICROCHIP、新塘nuvoton、恩智浦NXP、Intersil、威世 Vishay、赛普拉斯 Cypress、飞利浦 Toshiba热销消费者类型，在顾客之中具有较高的影响力，企业与好几家销售商和地区代理创建了长期性平稳的协作关联。深圳创维电子有限公司经销商的Phoenix Contact菲尼克斯、威世Vishay、AD、德州仪器TI、ATMEL、IR、安生美ON、美信MAXIM、飞思卡尔freescale、MICROCHIP、新塘nuvoton、恩智浦NXP、Intersil、赛普拉斯 Cypress、飞利浦 Toshiba质量上乘、价格实惠。深圳创唯电子有限公司领先地位，重个人信用、守合同书、确保产品品质，以多种类运营特点和垄断竞争市场的标准，获得了广大群众的信赖。

参考价格及参考库存
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型号 制造商 描述 参考库存 起订量 参考单价
(含税) 		货期
(工作日) 		操作
IXTP450P2
[更多] 		IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

96
Tube


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行业资讯

IGBT晶体管，英文全称是「InsulatedGateBipolarTransistor」，中文名叫「绝缘栅双极晶体管」。

IGBT晶体管是半导体器件的一种，主要被用于电动汽车、铁路机车及动车组的交流电电动机的输出控制等领域。

IGBT晶体管是由BJT（双极型晶体或双极性晶体管，俗称三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管，也叫IGFET，InsulatedGateFieldEffectTransister）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，它兼有MOSFET的驱动电流小，以及BJT导通电阻低两方面的优点（传统的BJT导通电阻小，但是驱动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却驱动电流小）。

正是由于IGBT晶体管结合了MOSFET的高电流单栅控制特性及BJT的低饱和电压的能力，在单一的IGBT器件里，会通过过把一个隔离的FET（场效应晶体管）结合，作为其控制输入，并以BJT作开关。

IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。

实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏沟道，而这个沟道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高耐压的器件上，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

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