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IXTQ52P10P产品属性
数据列表 IXT(A,H,P,Q)52P10P
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 PolarP??
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 2845pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 300W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 50 毫欧 @ 500mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-3P
封装/外壳 TO-3P-3，SC-65-3
标准包装 30
元器件小知识
晶体管放大电路剖析，分成静态数据剖析和分析报告两一部分。静态数据剖析关键进行晶体管静态工作点的求出，以保证晶体管放大电路处于适合的静态数据下，一起为式〔SectionlO-l〕求出 rbe充分准备。而分析报告关键进行下列3个指标值的测算：
分析报告的3个关键指标值。IXTQ52P10P,IXTQ52P10P晶体管,IXTQ52P10P-IXYS,电子元器件供应商，IXYS
1) 工作电压变大陪数：
也叫电压增益，用AU表达，还可以用G表达，无企业。当键入正弦波形峰峰值为ui，輸出正弦波形的峰峰值为Uo，则工作电压变大陪数为：
工作电压变大陪数也常见dB (英语为dedBel ,中文称之为声贝）表达，其界定为：
即对原陪数取以10为底的多数，随后乘于20。例如工作电压变大陪数为100倍，也可称之为工作电压变大陪数为40dB。普遍的工作电压变大陪数和dB的关联给出：
输入电阻Ri
在放大电路一切正常工作中时，对于键入数据信号来讲，从放大电路的键入端看进来的等效电阻。 即键入数据信号工作电压转变量，除于从而造成的键入电流量转变量，显而易见，它归属于动态性电阻器。
大部分状况下，人们期待1个放大电路的输入电阻越大越高。IXTQ52P10P,IXTQ52P10P晶体管,IXTQ52P10P-IXYS,电子元器件供应商，IXYS
输出电阻R
指輸出端带负荷的工作能力。放大仪不带负荷时，其輸出端具备的輸出数据信号工作电压，叫满载 工作电压，当放大仪輸出端接好负荷后，通常状况下輸出工作电压会降低。输出电阻越小的，这类降低越很弱。其实际含意与计算方式将在这节事件一部分细讲。IXTQ52P10P,IXTQ52P10P晶体管,IXTQ52P10P-IXYS,电子元器件供应商，IXYS
分析报告的流程
放大电路的分析报告，能够 拆分为给出好多个流程：
首先，以晶体管微变等效实体模型为关键，对于初始电源电路画出动态性等效电路
对原电源电路画出动态性等效电路，分成给出关键点：
1) 对电源电路中的工作电压不会改变点，执行接地装置。IXTQ52P10P,IXTQ52P10P晶体管,IXTQ52P10P-IXYS,电子元器件供应商，IXYS
2) 对电源电路中的大电容器，执行短接。对电源电路中的小电容器，执行引路。
3) 将晶体管，用晶体管的动态性实体模型，即微变等效实体模型替代。
4 )稍加梳理，画成比较看不惯的图。
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