IXTT2N170D2，半导体器件 > 三极管 - FET，MOSFET - 单，IXTT2N170D2型号规格基本参数，IXTT2N170D2生产商/大品牌/封裝生产批号/价钱 -创唯电子网
订购热线： 400-900-3095 0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
公司简介
深圳市创唯电子有限公司是一家电子元器件专业经销商,销售厂牌众多:安费诺、欧姆龙、莱尔德、Ti、3M、Ixys、杭州士兰微SL、TI（美国德州仪器）、ST（ 意法半导体）、MAXIM（美信）、MOTOROLA（摩托罗拉）、PHILIPS（东芝）、TOSHIBA（飞利浦）、ADI（美国仿真模拟器件）、Hewlett-Packard（hp惠普）、HITACHI （神钢）、NSC（美国國家半导体材料）、Samsung（三星）、UTC（中国台湾友顺）、NEC等知名品牌的电子元件。历经多年来的勤奋努力，我司与世界各国好几家集成电路芯片生产制造生产商维持着优良的协作关联，在诸多顾客中具有优良的信誉，一贯秉持“诚信为本，真心实意协作、优质的质量、积极主动向顾客出示一系列配套设施的服务项目”的服务宗旨，使人们在同业竞争中出类拔萃，获得许多顾客的信任与兼容，进而以中国各省主导销售市场，业务流程遍及全世界全国各地。 我司关键致力于智能安防,数码相框,MP4,通信,开关电源,DVB（电视机顶盒）,LNB（DVB接受无线天线）,DVD等行业，能够为您带来多方位元器件配套设施服务项目。企业的商品包含遥控器编号电源电路,连接器、接插件、二极管、三极管、集成电路、熔断器、线缆、电容、电阻、稳压电路系列、运放电路系列产品；电机驱动器系列产品等电子元件。企业以最实惠的价钱为您奉上最好质量的电子元件，尽心尽意为众多顾客服务；热烈欢迎全球同行业及各界人士与本商行开展友善的协作与经济往来，并不断拓展互利互惠的长期性合作方。
主营业务范畴：关键着眼于电子器件零配件的供货，集成电路芯片;电子器件配套设施;热烈欢迎广大群众拨电话购买,并与我司创建长期性的合作方.
| 数据列表 | |
|---|---|
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 晶体管 - FET，MOSFET - 单 | |
| 制造商 | IXYS |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 在售 |
| FET 类型 | N 沟道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 1700V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 2A（Tj） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） | 110nC @ 5V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 3650pF @ 25V |
| Vgs（最大值） | ±20V |
| FET 功能 | 耗尽模式 |
| 功率耗散（最大值） | 568W（Tc） |
| 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） | 6.5 欧姆 @ 1A，0V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 供应商器件封装 | TO-268 |
| 封装/外壳 | TO-268-3，D3Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA |
| 标准包装 | 30 |
元器件小知识
碳化硅VS氮化镓，宽禁带半导体材料双雄可否带我国保持弯道超越？
在实际全球中，没人能够和“半导体材料”撇清关联。尽管这一定义听上来将会显得有些冰凉，可是你每日用的电脑上，手机上及其电视机这些，都是采用半导体材料元器件。半导体材料的必要性自不必说，今日人们而言一下半导体材料产业链中一个很重要的构成，那便是半导体材料。
半导体材料是制做三极管、集成电路芯片、电力电子器件、光电子器件的关键原材料。其发展趋势历经了三个关键环节：以硅为代表的第一代半导体材料、以砷化镓为代表的第二代半导体材料、以碳化硅为代表的第三代半导体材料。第三代半导体材料在诸多层面具备宽阔的运用市场前景，随之技术性的发展，原材料加工工艺与器件加工工艺的逐渐完善在高档行业将逐渐替代第一代、第二代半导体材料，变成电子信息产业的修罗神。
今日人们关键说的就是说第三代宽禁带半导体材料。
第三代半导体材料—宽禁带半导体材料
当今，电子元器件的应用标准愈来愈极端，要融入高频率、功率、耐热、抗辐照等独特自然环境。能够满足将来电子元器件要求，务必选用新的原材料，便于较大程度地提升电子元件的本质特性。近些年，新发展趋势起來了第三代半导体材料 -- 宽禁带半导体材料，此类原材料具备导热系数高、电子器件饱和状态速率高、击穿场强高、介电常数劣等特性，这就从基础理论上确保了其较宽的应用领域。现阶段，由其制做的器件操作温度可做到 600 ℃左右、抗辐照 1×106 rad；小栅宽 GaN HEMT 器件各自在 4 GHz 下，功率密度做到 40 W/mm；在 8 GHz，功率密度做到 30 W/mm；在 18 GHz，功率密度做到 9.1 W/mm；在 40 GHz，功率密度做到 10.5 W/mm；在 80.5 GHz，功率密度做到 2.1 W/mm，等。因而，宽禁带半导体技术已变成现如今电子器件产业发展规划的新式驱动力。
进到 21 新世纪至今，随之摩尔定律的无效大限日渐即将来临，找寻半导体材料硅材料代替品的每日任务越来越十分急迫。在多名参赛选手轮流出场后，有俩位出类拔萃，他们就是说氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)——并称之为第三代半导体材料的双雄。
碳化硅原材料
碳化硅（SiC）别名金刚沙，为硅与碳相键结而成的瓷器状化学物质，碳化硅在自然界以莫桑石这类希罕的矿物质的方式存有。SiC 是现阶段发展趋势最完善的宽禁带半导体材料，早已产生了全世界的原材料、器件和运用全产业链。
SiC 器件和电源电路具备强力的特性和宽阔的运用市场前景，因而一直受业内重视，基础产生了美国、欧州、日本国三足鼎立的局势。现阶段，国际性上保持碳化硅多晶硅抛光片技术化的公司关键有美国的 Cree 公司、Bandgap 公司、Dow Dcorning 公司、II-VI 公司、Instrinsic 公司；日本国的 Nippon 公司、Sixon 公司；德国的 Okmetic 公司；法国的 SiCrystal 公司，等。在其中 Cree 公司和 SiCrystal 公司的市场份额超出 85%。在全部的碳化硅制取生产商中以美国 Cree 公司最強，其碳化硅多晶硅原材料的技术实力可代表了国际性水准，预则在将来的两年里 Cree 公司还将在碳化硅衬底销售市场上鹤立鸡群。美国 Cree 公司 1993 年刚开始有 6H 碳化硅抛光片货品售卖，以往的十几年里持续有优良品种添加，晶形由 6H 拓展到 4H；电阻由低阻到半绝缘层；规格由 2 寸到 6 寸，150 mm(6 英尺)抛光片已投放市场。
氮化镓原材料
氮化镓
氮化镓（GaN、Gallium nitride）是氮和镓的化学物质，是一种立即能隙*的半导体材料，在大气压力泡下，GaN 结晶一般呈六方纤锌矿构造，它在一个元胞中有 4 个原子核，原子核容积大概为 GaAs 的 1/2；其物理性质平稳，常温状态不溶解水、酸和碱，而在热的碱水溶液中以十分迟缓的速率融解；在 HCl 或 H2 下高溫中展现不平稳特点，而在 N2 下更为平稳。GaN 原材料具备优良的热学特点，带宽隙(3.39 eV)、高击穿场强(3×106 V/cm)、高电子器件迁移率(室内温度 1 000 cm2/V·s)、高异质结面电子密度(1×1013 cm-2)等，因此被觉得是科学研究短光波长光电子器件及其高溫高频率大电力电子器件的最甄选原材料，相对性于硅、砷化镓、锗乃至碳化硅器件，GaN 器件能够在更高频、更大功率、更高溫度的状况下工作中。
猜你还喜欢
