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IXFN180N10

IXFN180N10 - MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
IXYS IXFN180N10
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商: IXYS
制造商产品编号:IXFN180N10
仓库库存编号:IXFN180N10-ND
描述:MOSFET N-CH 100V 180A SOT-227B
ROHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:底座安装 N 沟道 180A(Tc) 600W(Tc) SOT-227B
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订购热线: 400-900-3095  0755-21000796, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com

公司简介

深圳市创唯电子有限公司是一家电子元器件销售公司。位于深圳市宝安区, 主要销售:连接器、电阻、电容、线缆、芯片、模块、集成电路、二三极管、电子镇流器用铝电解电容器; 主要代理分销品牌:AmphenolLairdomronixysROHMtti3M、国巨、松下、法国欧司朗、美国GE、法国 东芝、日本国飞利浦等。与日本国SONY、美国APC的协作已经开展中。

主营业务范畴:连接器、电阻、模块、铝电解电容器、二极管、三极管等等

IXFN180N10产品属性

产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4,miniBLOC  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HiPerFET??  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-227B  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  360nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  8 毫欧 @ 500mA,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  180A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  9100pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4V @ 8mA  
  功率耗散(最大值)  600W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  100V  
关键词         

产品资料 
数据列表 IXFN180N10
标准包装 10
其它名称 479462 
行业资讯

iPhone 5G 后来者居上?2020年的 5G iPhone 将修罗神销售市场

11  19 图讯,根据国外媒体报道显示,预估iPhone iPhone 系列产品将在 2020 年第三季度选用 5G 通信联接,添加 5G 比赛。

 Strategy Analytics 所公布的汇报,iPhone 5G 将在兴新智能机技术性市场细分占主导性。

剖析称,下一代 iPhone 只需保证和现阶段客户升級新 iPhone 的速度一致,就得以使 iPhone 夺得极大的销售市场的市场份额,进而超出三星和华为手机,变成 5G 移动电话领域的核心。此外,iPhone预估将在其 2020 年发布的全部 iPhone 上出示 5G 适配,及其将会选用新的设计方案和别的令人激动的新作用,被压抑感的要求极有可能会使升級率更高。

但是,该汇报还称,虽然预估iPhone将在 2020 年保持 5G 的强悍提高,但从长久看来,三星将终获 5G 荣誉。 随之大量销售市场进到 5G 时期,三星将凭着其在全部智能机销售市场的主导性及其在大量价钱段内更普遍的 5G 机器设备产品组合策略得到绝大多数市场份额。

现阶段,华为手机在 5G 智能机市场销售层面的发展潜力遭受英国技术性貿易严禁的限定。华为手机在我国占主导性,而且很将会仍将这般。 在严禁消除以前,华为手机在其他地域的 5G 智能机市场销售市场前景仍将局限。

 5G 智能化手机市场份额来讲,不管其长期性市场前景怎样,2020 年将是iPhone得到吹捧资产的那时候。

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