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IXFN110N60P3

IXFN110N60P3 - MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
IXYS IXFN110N60P3
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商: IXYS
制造商产品编号:IXFN110N60P3
仓库库存编号:IXFN110N60P3-ND
描述:MOSFET N-CH 600V 90A SOT227
ROHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:底座安装 N 沟道 90A(Tc) 1500W(Tc) SOT-227B
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公司简介

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主营业务范畴:LairdAmphenolixysomronROHM3Mtti、国巨、松下等

IXFN110N60P3产品属性

产品规格
  封装/外壳  SOT-227-4,miniBLOC  
  制造商  IXYS  
  安装类型  底座安装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  HiPerFET?,Polar3?  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  SOT-227B  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±30V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  245nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  56 毫欧 @ 55A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  90A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  18000pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  5V @ 8mA  
  功率耗散(最大值)  1500W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  600V  
关键词         

产品资料 
数据列表 IXFN110N60P3
标准包装 10
其它名称 625715 
行业资讯

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