IXTN200N10L2，公司分立半导体材料商品 > 三极管 - FET，MOSFET - 单，IXTN200N10L2规格型号参数，IXTN200N10L2生产厂家/知名品牌/封裝生产批号/价格 - 创唯电子网
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| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC | |
|---|---|---|
| 制造商 | IXYS | |
| 安装类型 | 底座安装 | |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | |
| 系列 | Linear L2?? | |
| 包装 | - | |
| 零件状态 | 在售 | |
| 供应商器件封装 | SOT-227B | |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
| Vgs（最大值） | ±20V | |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） | 540nC @ 10V | |
| 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） | 11 毫欧 @ 100A，10V | |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | |
| FET 类型 | N 沟道 | |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 178A（Tc） | |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | 23000pF @ 25V | |
| FET 功能 | - | |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | 4.5V @ 3mA | |
| 功率耗散（最大值） | 830W（Tc） | |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | |
| 关键词 | ||
| 数据列表 | |
|---|---|
| 标准包装 | 10 |
| 其它名称 |
624413 Q5211084 |
手机上1TB储存强势来袭？SK海力士交货1TB UFS 3.1闪存
储存技术已经迅速发展趋势，迅速人们就能看到 1TB 储存的手机上了。
2019 年智能机的闪存容积进一步提升，中高端智能手机大部分是 128GB 发展，高档会后 512GB，某些商品顶配立即上 1TB 容积了。依照这一发展趋势下来，2020年 1TB 容积的手机上会大量，由于 SK 海力士如今早已刚开始交货 1TB UFS 3.1 闪存给手机制造商，堆栈叠加层数做到了 128 层。
2019年 6 月，SK 海力士全世界发布 128 层堆栈的 4D 闪存，实质上還是 3D 闪存，4D 闪存就 SK 海力士自身那么叫，说白了 4D 就是指单芯片四层架构模式，融合了 3D CTF(负电荷捕捉闪存)设计方案、PUC(Peri. Under Cell)技术，后面一种就是指生产制造闪存时先产生外场地域再层叠晶胞，有利于变小集成ic总面积。
除此之外，SK 海力士的 128 层 4D 闪存还保持了业界最多的闪存竖直层叠相对密度，单珠集成ic集成化超出 3600 亿个闪存模块，每一个可储存 3 个比特位，因此 SK 海力士运用了一系列自主创新技术，例如超类似竖直蚀刻工艺技术、销售电价多层高层塑料薄膜模块成形技术、极快低功耗电源电路技术，这些。
另外，新的 128 层 4D 闪存单珠容积 1Tb(128GB)，是业界存储密度最多的 TLC 闪存，每粒圆晶可生产制造的比特容积也比 96 层层叠提升了 40％。
SK 海力士官方网今日表达 1TB 容积的 UFS 3.1 闪存早已出样给手机制造商，预估2020年九月份的 5G 手机上就用到上这类大空间+快速的 UFS 闪存。
从这个商品刚开始，SK 海力士也会把闪存重中之重转为 5G 手机上，现阶段我国市场上已经全力促进 5G，存储芯片销售市场即将从这当中获益，终究 5G 速度相当快，免费下载、储存的信息量也更高，对于容积规定更高。
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