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IXTT1N450HV

IXTT1N450HV - MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
IXYS IXTT1N450HV
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商: IXYS
制造商产品编号:IXTT1N450HV
仓库库存编号:IXTT1N450HV-ND
描述:MOSFET N-CH 4500V 1A TO268
ROHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:表面贴装 N 沟道 1A(Tc) 520W(Tc) TO-268
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公司简介

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主营业务范畴: 运营商品:电源开关管,PIN管,整流管,肖特基管,快修复管,变容管,稳压极管,高频率管,声频管,频射管,场效应管,达林顿管,复合管,带阻管,闸流管,微波加热管,尺寸中功率管等系列产品贴片式二、三极管。三端稳压管,集成电路芯片(IC)等,贴片电解电容,电容器,电阻器,电感器,磁珠,发光二极管各系列产品贴片式电子元器件;封裝:SOT-23. SOT-89. SOT-223. TO-252. TO-263. SOT-323. SOT-363. SOT-143. SOT-343.SOT-153. SOT-353.SOT-163. SOD-123. SOD-323. DO-214TO-92TO-220TO-3P

IXTT1N450HV产品属性

产品规格
  封装/外壳  TO-268-3,D3Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA  
  制造商  IXYS  
  安装类型  表面贴装  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-268  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  40nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  85 欧姆 @ 50mA,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  1A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  1730pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  6.5V @ 250μA  
  功率耗散(最大值)  520W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  4500V  
关键词         

产品资料 
数据列表 IXTT1N450HV
标准包装 30
行业小资讯

开源系统集成ic源代码自主创新管理中心在京创立,即将搭建 RISC-V 集成ic自主创新绿色生态

12  9 图讯,看准芯片设计的“金字塔式尖”和根源自主创新,12  7 日中午,北京中关村科学城开源系统集成ic源代码自主创新管理中心创立。管理中心将促进芯片设计行业全世界规范建立,基本建设国际性开源系统服务平台,提高在我国芯片设计硬整体实力和独立可控性核心竞争力。

很多年来,由英国公司核心的 ARMX86 构架是全世界集成ic行业的流行构架。随之人工智能技术等前沿技术发展趋势,许多尖端科技竞相转为 RISC-V 构架。RISC-V 以其灵便、精减、开源系统等特点,变成全世界集成ic行业深受关心的构架,也被称作中国芯的“机遇与挑战”。

北京中关村科学城开源系统集成ic源代码自主创新管理中心就是说期待搭建 RISC-V 集成ic自主创新绿色生态。

将来,该自主创新管理中心关键聚焦点 RISC-V 全世界规范建立、产权保护,提高中国公司与科学研究组织在全世界规范化管理体系中的主导权;构建 RISC-V 开源系统服务平台和小区,减少公司、高等院校科研院所、创业人的芯片设计与运用项目成本与技术性门坎;提升 RISC-V 构架的cpu核心、配套设施基本手机软件和集成ic产品研发自主创新,不断提高竞争优势。

将来,该自主创新管理中心关键聚焦点五方面:聚焦点 RISC-V 全世界规范建立、产权保护,提高中国公司与科学研究组织在全世界规范化管理体系中的主导权;构建 RISC-V 开源系统服务平台和小区,减少公司、高等院校科研院所、创业人的芯片设计与运用项目成本与技术性门坎;提升 RISC-V 构架的cpu核心、配套设施基本手机软件和集成ic产品研发自主创新,不断提高竞争优势;推动 RISC-V 集成ic 5G、人工智能技术、区块链技术、边缘计算等行业的示范性运用;增加人才的培养,贮备源源不断的自主创新驱动力。现阶段,清华大学、北京大学、苏大、中国科学院等高等院校科研院所均早已进行 RISC-V 课堂教学和科学研究工作中,为 RISC-V 绿色生态发展趋势提供了人才储备。 

据统计,海淀区发展趋势 RISC-V 绿色生态具备资源优势的优点,集聚了清华大学、北京大学、中国科学院、苏大、北理工等集成电路设计的顶级高等院校科研院所,君正、兆易创新、紫光展锐等芯片设计拔尖公司及百度搜索、旷视、商汤等集成ic运用公司,知存高新科技、灵汐高新科技、清微智能化等一批芯片设计新势力公司层出不穷,集成电路设计全产业链相对性详细。

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