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IXTH110N25T

IXTH110N25T - MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
IXYS IXTH110N25T
声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商: IXYS
制造商产品编号:IXTH110N25T
仓库库存编号:IXTH110N25T-ND
描述:MOSFET N-CH 250V 110A TO-247
ROHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:通孔 N 沟道 110A(Tc) 694W(Tc) TO-247(IXTH)
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IXTH110N25T产品属性

产品规格
  封装/外壳  TO-247-3  
  制造商  IXYS  
  安装类型  通孔  
  工作温度  -55°C ~ 150°C(TJ)  
  系列  -  
  包装  管件   
  零件状态  在售  
  供应商器件封装  TO-247(IXTH)  
  技术  MOSFET(金属氧化物)  
  Vgs(最大值)  ±20V  
  不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值)  157nC @ 10V  
  不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值)  24 毫欧 @ 55A,10V  
  驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)  10V  
  FET 类型  N 沟道  
  电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)  110A(Tc)  
  不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)  9400pF @ 25V  
  FET 功能  -  
  不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)  4.5V @ 1mA  
  功率耗散(最大值)  694W(Tc)  
  漏源电压(Vdss)  250V  
关键词         

产品资料 
数据列表 IXT(H,V)110N25T(S)
标准包装 30
行业小资讯

在我国集成电路芯片产业链2019年发展趋势加速,欲抹平贸易赤字还需勤奋
12 月 16 图讯,在我国集成电路芯片产业链正在逐步成才,依据國家统计局官网公布信息,11 月,全国性规模以上企业增加值同比增长率 6.2%,增长速度比上个月加速 1.5 个月环比。1-11 月,全国性规模以上企业增加值提高 5.6%,增长速度与 1-10 月环比增长。
具体来说,高新技术加工业、高端装备制造增长值各自提高 8.9%、8.5%,各自比规模以上企业工业生产快 2.7、2.3 个月环比;在其中诊疗实验仪器及仪表设备加工业、电子器件及通讯设备加工业各自提高 12.6%和 10.8%,各自比规模以上企业工业生产快 6.4 和 4.6 个月环比。太阳能电池板和集成电路芯片生产量各自提高 23.0%和 18.2%。汽车销售量提高 3.7%。
加工业市场经理指数值(PMI)分项工程指数值中,生产指数、新订单指数值和经销商派送時间指数值各自为 52.6%、51.3%和 50.5%,均高过零界点且均比上个月有一定的回暖。加工业企业安全生产主题活动预估指数值为 54.9%,坐落于较高形势区段。
现阶段在我国集成电路芯片产业链正处在迅速发展趋势环节。2015 年,国务院办公厅公布《中国制造业 2025》,明确提出中国芯片产出率要在 2020 年超过 40%,2025 年超过 70%。2018 年,中国集成电路产业链关键技术获得了提升,芯片设计水准提高了 2 代,生产制造加工工艺提高 1.5 代,像 32、28 纳米技术的加工工艺保持了产业化的烧录。
集成电路芯片全产业链分成设计方案阶段、生产制造阶段、封裝和检测这三个阶段,各产生了相对性单独的产业链。伴随着人工智能技术的迅速普及化,在我国 IC 设计方案制造行业迅猛发展。据中国半导体产业协会数据统计显示信息,2018 年,在我国集成电路设计业销售额为 2519.3 亿美元,占产业链总产值的 38.6%,稳居第一;集成电路芯片圆晶业销售额为 1818.2 亿美元,占产业链总产值的 27.8%;集成电路芯片封测业销售额为 2193.9 亿美元,占有率 33.6%。
但是,上年在我国進口以集成ic主导的集成电路芯片 3120.6 亿美金,出口值只能 846.4 亿美金,逆差达 2274.2 亿美金,进出口额是出口值的约 3.7 倍。欲抹平逆差,中企还需大幅度提升有关基本产品研发的经费预算资金投入。

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