CLA50E1200HB【SCR-单】IXYS|艾赛斯
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| 数据列表 |
CLA50E1200HB |
|---|---|
| 产品相片 |
STGWF30NC60S |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | SCR - 单个 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| 电压 - 断态 | 1200V |
| 电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值） | 1.5V |
| 电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值） | 50mA |
| 电压 - 通态 (Vtm)（最大值） | 1.6V |
| 电流 - 通态 (It (AV))（最大值） | 50A |
| 电流 - 通态 (It (RMS))（最大值） | 79A |
| 电流 - 保持 (Ih)（最大值） | 75mA |
| 电流 - 断态（最大值） | 50μA |
| 电流 - 不重复浪涌 50、60Hz (Itsm) | 550A，590A |
| SCR 类型 | 标准恢复型 |
| 工作温度 | -40°C ~ 150°C |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
| 供应商器件封装 |
TO-247 |
公司简介
深圳创唯电子有限公司是一间专业代理销售世界知名品牌（IXYS、cosel、Phoenix Contact、Alpha Wire 、Vishay、Harbour、Molex、Tyco、TE等）电缆电线及其连接器等商品的企业。现阶段关键代理销售英国Alpha、 Belden、Harbour的各种电缆线、和各种电子元器件及其Phoenix Contact、Molex、Tyco、TE等知名品牌连接器等商品。技术专业服务项目和服务支持：从电缆线商品的电机选型强烈推荐，到试品的适用及其中后期为顾客控制成本的勤奋等服务项目。真心实意的服务项目和服务支持获得了顾客的高宽比信赖。一部分商品中国库房有现货交易。我们的顾客关键遍布在长江三角洲地区主导的华东区及其西部地区，商品运用于消费电子产品、通信、诊疗、电力机车、新能源技术、石油化工设备、儿童游乐设备、机械自动化机器设备、航天航空这些必须性能电缆线及联接商品的行业。
SCR NON-SENS 1200V 80A TO247AD
RoHS: Compliant | pbFree: Yes
248
参考价格及参考库存
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CLA50E1200HB
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IXYS Corporation
Tube
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行业资讯
flash存储器
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Flash存储器属于内存器件的一种，是一种非易失性（ Non-Volatile ）内存。
1.flash存储器是什么
Flash存储器在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。
NAND闪存的存储单元则采用串行结构，存储单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包含若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的存储块大小为 8 到 32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。
NAND闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的存储控制器，一旦出现数据坏块将无法修，可靠性较 NOR 闪存要差。
NAND闪存被广泛用于移动存储、数码相机、 MP3 播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长。
flash存储器是什么
2.flash存储器作用
NOR和NAND是市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能，并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。
像“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。
NOR的特点是芯片内执行(XIP， eXecute In Place)，这样应用程序可以直接在flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。
NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。
flash存储器作用
3.flash存储器原理
闪存的存储单元为三端器件，与场效应管有相同的名称：源极、漏极和栅极。栅极与硅衬底之间有二氧化硅绝缘层，用来保护浮置栅极中的电荷不会泄漏。采用这种结构，使得存储单元具有了电荷保持能力，就像是装进瓶子里的水，当你倒入水后，水位就一直保持在那里，直到你再次倒入或倒出，所以闪存具有记忆能力。
与场效应管一样，闪存也是一种电压控制型器件。NAND型闪存的擦和写均是基于隧道效应，电流穿过浮置栅极与硅基层之间的绝缘层，对浮置栅极进行充电（写数据）或放电（擦除数据）。而NOR型闪存擦除数据仍是基于隧道效应（电流从浮置栅极到硅基层），但在写入数据时则是采用热电子注入方式（电流从浮置栅极到源极）。
场效应管工作原理场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
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