IRFP250【FET-单】IXYS|艾赛斯
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| 数据列表 |
IRFP250 |
|---|---|
| 产品相片 |
TO-247-3 |
| PCN Obsolescence |
IRFP Series 27/Feb/2012 |
| 标准包装 | 30 |
| 类别 | 分立半导体产品 |
| 家庭 | FET - 单 |
| 系列 | - |
| 包装 | 管件 |
| FET 类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 功能 | 标准 |
| 漏源极电压 (Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极 (Id)（25° C 时） | 30A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 时的?Rds On（最大值） | 85 毫欧 @ 18A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg) | 140nC @ 10V |
| 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss) | 2970pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 190W |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 供应商器件封装 | TO-247AD |
公司简介
深圳市创唯电子有限公司技术专业代理经销商進口知名品牌电子元件，以供货周期短、购买总数灵便、商品配套设施齐备、高品质的服务项目为立足于立身之本，在全世界范畴中国的大小型公司调转国外上千篇一律加工厂现货交易库存量服务项目，共享资源全世界資源.
商品包含：射频连接器、汽车继电器、控制器、电源开关、开关电源、充电电池、保险管、变电器、隔离开关、
电位计、伺服电机、电扇、电机、电磁铁、电缆电线、热缩套管、磁环、压接钳、热风枪等.
主要用途：航空公司、航船、油气田、通信、诊疗、小车、电子计算机、仪表设备、工业生产和消費级电子设备.
企业服务承诺：运营的商品全属原装正品、原厂升级商品.
企业具备很多年的市场销售管理心得，技术专业配套设施各种各样电子元件，长期性常备海外很多的现货交易库存量，国外库房现货交易2周后供货，企业以“品质谋发展、诚实守信求发展趋势”的服务宗旨，保证产品品质靠谱的一起用顶级的服务项目，来收益广大群众。
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
RoHS: Compliant | pbFree: Yes
2638
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
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1563
MOSFET N-CH 200V 30A TO-247AC
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778
参考价格及参考库存
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型号
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IRFP250MPBF
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行业资讯
场效应管参数有哪些
创唯电子IXYS产品型号齐全，代理进口IXYS电子元器件产品众多，可来电加Q咨询，量大优惠，梯度报价！
使用时主要关注的参数有：
1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM。
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