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IXFN100N50P

IXFN100N50P  IXYS艾赛斯全系列索引
制造商型号： IXFN100N50P
制造商： Ixys
描述： MOSFET 500V 100A
技术参考： Rohs PDF查询
库存状态： 实时库存查询  所在地：深圳原厂原装现货
备注： 代理销售世界各大品牌电子元器件，大量原厂原装正品现货
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产品信息

制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS:  符合
晶体管极性: N-Channel
汲极/源极击穿电压: 500 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏极连续电流: 90 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）: 49 mOhms
配置: Single Dual Source
最大工作温度: + 150 C
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-227B
封装: Tube
下降时间: 26 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值） : 80 s
最小工作温度: - 55 C
功率耗散: 1040 W
上升时间: 29 ns
工厂包装数量: 10
典型关闭延迟时间: 110 ns
公司简介

深圳市创唯电子有限公司 是全国性最出色的進口电子器件分销。关键批發兼零售业全球著名生产商的五金机械射频连接器 电缆电线 IC集成电路芯片 航空公司连接头 汽车继电器 控制器 接线端子排等上万种商品数万种型号规格，商品涉及到电脑上 通信 小车 家用电器 互联网 嵌入式等诸多行业，并联接技术领先的技术性出示包含普遍行业的顾客服务提供商和供性价比高的个性化服务。

   企业自创立至今始终秉诚“以质取胜，价格实惠，供货便捷，顾客至上”的经营管理理念，并按如今企业制度规定，创建原厂的经营体制，塑造高水平运动员的市场销售 追踪团队，便于我们在短时间内对你的要求做出回应，并携手并肩全世界众店家创建优良的服务平台，着力打造制造行业先峰

参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销，订单金额100元起订，满300元含运，满500元含税运，有单就有优惠，量大更优惠，支持原厂订货
型号 制造商 描述 参考库存 起订量 参考单价
(含税) 		货期
(工作日) 		操作
IXFN100N50P
[更多] 		IXYS Corporation

MOSFET N-CH 500V 90A SOT-227B

RoHS: Compliant | pbFree: Yes

258
Tube


1起订 		1+
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行业资讯

MOS管和IGBT管有什么区别？
MOS管和IGBT管可用作开关部件，外形、特性参数也相似，有什么区别呢？
什么是MOS管？
MOS管是MOSFET管的简称，是金属氧化物半导体场效应晶体管，简称场效应管，MOS管主要分为结型场效应管(JFET)和绝缘场效应管(MOS管)两种。
场地效应管的格栅被绝缘层隔离，因此又称绝缘格栅场地效应管。
MOSFET又分为n槽耗尽型和强化型4种p槽耗尽型和强化型。
有些MOSFET内部有二极管。这是体二极管，也称为寄生二极管、连流二极管。
寄生二极管的作用有两个说明
1、MOSFET的寄生二极管，作用是在防止VDD过压的情况下，烧毁MOS管。
2、防止MOS管源极和漏极反接时烧毁MOS管，电路有反感电压时，也可以为反感电压提供通道，避免反感电压破坏MOS管。
MOSFET具有输入阻抗高、开关速度快、热稳定性好、电压控制电流等特性，可作为电路中的功放、电子开关等。
什么是IGBT管？
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是由晶体三极管和MOS管组成的复合半导体设备。
IGBT管具有输入阻抗高、电压控制功耗低、控制电路简单、耐高压、耐电流大等特性，在各种电子电路中得到广泛应用。
IGBT管内部的身体二极管不是寄生的，而是为了保护IGBT脆弱的反抗压力而特别设置的，也称为FWD。
IGBT管非常适用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
MOS管和IGBT的结构特征。
IGBT是由MOSFET漏极添加层组成的。
类似功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速度可能比MOSFET慢。IGBT有关闭拖把的时间，IGBT关闭拖把的时间长，死区的时间也会变长，开关的频率会受到影响。
如何选择？
在电路中，选择MOS管或IGBT管作为电力开关管是工程师经常遇到的问题，从系统的电压、电流、切换电力等因素来考虑，可以总结以下几点
总的来说，MOSFET管的优点是高频特性好，能够工作的频率可以达到数百kHz、上MHz，但其缺点是导通电阻大，在高压大电流情况下功耗大的IGBT在低频和大功率情况下优异，导通电阻小，耐压高。
MOSFET管应用于开关电源、高频感应加热、高频变频焊机、镇流器、通信电源等高频电源领域的IGBT管集中应用于焊机、电镀电解电源、变频器、变频器、超音频感应加热等领域。

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