数据列表 |
DSSK40-006B |
---|---|
产品相片 |
STGWF30NC60S |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | 二极管,整流器 - 阵列 |
系列 | - |
包装 | 管件 |
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) | 530mV @ 20A |
不同?Vr 时的电流 - 反向漏电流 | 20mA @ 60V |
电流 - 平均整流 (Io)(每二极管) | 20A |
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值) | 60V |
反向恢复时间 (trr) | - |
二极管类型 | 肖特基 |
速度 | 快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io) |
二极管配置 | 1 对共阴极 |
安装类型 | 通孔,径向 |
封装/外壳 | TO-3P-3 整包 |
供应商器件封装 | TO-247AD |
创唯电子器件是一间致力于進口射频连接器经销商的超急供应链公司,为顾客出示迅速更节约的现货交易服务项目。主营业务IXYS、cosel、Phoenix Contact、Molex、Vishay、Delphi、TE、JST、Yazaki、Hirose、Sumitomo等進口知名品牌射频连接器。服务项目顾客关键行业有小车、家用电器、通信、诊疗、嵌入式、3C数码科技、自动化机械等。蓬生电子器件始终紧紧围绕顾客购置难、难购置的难题持续科学研究,为射频连接器制造行业种类多、交期长等艰难难题造就了以厂家直销方式的解决方法,将射频连接器商品原先必须65-95天的生产制造交货期减少至12-20天,深化为加工厂保证按时生产制造。
DIODE ARRAY SCHOTTKY 60V TO247AD
RoHS: Compliant | pbFree: Yes
0
型号
制造商
描述
参考库存
起订量
参考单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
DSSK40-006B
[更多]
IXYS Corporation
Tube
30起订
30+
¥36.77
6-10天
搜索
查看资料
猜你喜欢
MOSFET N-CH 75V 340A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 340A(Tc) 935W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:IXFH340N075T2
仓库库存编号:IXFH340N075T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥89.12
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET P-CH 500V 20A TO-247
详细描述:通孔 P 沟道 20A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:IXTH20P50P
仓库库存编号:IXTH20P50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥93.53
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET N-CH 1KV 6A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 6A(Tc) 180W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:IXFH6N100
仓库库存编号:IXFH6N100-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥93.82
更多价格信息...
MOSFET P-CH 600V 10A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:IXTH10P60
仓库库存编号:IXTH10P60-ND
别名:Q1152201
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥94.87
更多价格信息...
MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 650W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:IXFH36N60P
仓库库存编号:IXFH36N60P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥95.16
更多价格信息...
MOSFET N-CH 200V 50A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 50A(Tc) 300W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:IXFH50N20
仓库库存编号:IXFH50N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥102.82
更多价格信息...
MOSFET P-CH 100V 90A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 90A(Tc) 462W(Tc) TO-268
型号:IXTT90P10P
仓库库存编号:IXTT90P10P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥105.41
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET P-CH 200V 48A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 48A(Tc) 462W(Tc) TO-268
型号:IXTT48P20P
仓库库存编号:IXTT48P20P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥105.41
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET P-CH 500V 7A TO-247AD
详细描述:通孔 P 沟道 7A(Tc) 180W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:IXTH7P50
仓库库存编号:IXTH7P50-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥114.9
更多价格信息...
MOSFET N-CH 650V 80A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 890W(Tc) TO-247
型号:IXFH80N65X2
仓库库存编号:IXFH80N65X2-ND
别名:632463
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥117
更多价格信息...
原厂订货交期:12 周
MOSFET N-CH 200V 170A TO-264
详细描述:通孔 N 沟道 170A(Tc) 1150W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:IXFK170N20T
仓库库存编号:IXFK170N20T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥122.28
更多价格信息...
原厂订货交期:16 周
MOSFET N-CH 75V 400A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 400A(Tc) 1000W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:IXFH400N075T2
仓库库存编号:IXFH400N075T2-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥129.17
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET N-CH 500V 98A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 98A(Tc) 1300W(Tc) PLUS247?-3
型号:IXFX98N50P3
仓库库存编号:IXFX98N50P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥130.32
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET N-CH 600V 80A TO264
详细描述:通孔 N 沟道 80A(Tc) 1300W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:IXFK80N60P3
仓库库存编号:IXFK80N60P3-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥131.28
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET N-CH 300V 52A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 52A(Tc) 360W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:IXFH52N30Q
仓库库存编号:IXFH52N30Q-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥140.29
更多价格信息...
MOSFET P-CH 500V 40A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 40A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:IXTX40P50P
仓库库存编号:IXTX40P50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥163
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET P-CH 200V 90A PLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 90A(Tc) 890W(Tc) PLUS247?-3
型号:IXTX90P20P
仓库库存编号:IXTX90P20P-ND
别名:620108
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥163
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET P-CH 100V 108A ISOPLUS247
详细描述:通孔 P 沟道 108A(Tc) 312W(Tc) ISOPLUS247?
型号:IXTR170P10P
仓库库存编号:IXTR170P10P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥179.29
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 90A(Tc) 500W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:IXFK90N20
仓库库存编号:IXFK90N20-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥183.41
更多价格信息...
MOSFET N-CH 250V 168A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 168A(Tc) 900W(Tc) SOT-227B
型号:IXFN180N25T
仓库库存编号:IXFN180N25T-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥188.2
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET N-CH 100V 180A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:IXFK180N10
仓库库存编号:IXFK180N10-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥188.97
更多价格信息...
MOSFET N-CH 1.1KV 13A TO-247AD
详细描述:通孔 N 沟道 13A(Tc) 360W(Tc) TO-247(IXTH)
型号:IXTH13N110
仓库库存编号:IXTH13N110-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥194.14
更多价格信息...
MOSFET N-CH 500V 61A SOT-227
详细描述:底座安装 N 沟道 61A(Tc) 700W(Tc) SOT-227B
型号:IXFN64N50P
仓库库存编号:IXFN64N50P-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥203.63
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247
详细描述:通孔 N 沟道 34A(Tc) 560W(Tc) PLUS247?-3
型号:IXFX34N80
仓库库存编号:IXFX34N80-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥214.27
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
MOSFET N-CH 600V 44A TO-264AA
详细描述:通孔 N 沟道 44A(Tc) 560W(Tc) TO-264AA(IXFK)
型号:IXFK44N60
仓库库存编号:IXFK44N60-ND
产品分类:晶体管 - FET,MOSFET - 单,品牌:IXYS,
可于1-2周内送达
1 + ¥224.04
更多价格信息...
原厂订货交期:8 周
行业资讯
开关电源防止EMI的22个设计技巧
创唯电子IXYS产品型号齐全,代理进口IXYS电子元器件产品众多,可来电加Q咨询,量大优惠,梯度报价!
作为工作于开关状态的能量转换装置,开关电源的电压、电流变化率很高,产生的干扰强度较大; 干扰源主要集中在功率开关期间以及与之相连的散热器和高平变压器,相对于数字电路干扰源的位置较为清楚;开关频率不高(从几十千赫和数兆赫兹),主要的干扰形式是传导干扰和近场干扰;而印刷线路板(PCB)走线通常采用手工布线,具有更大的随意性,这增加了 PCB 分布参数的提取和近场干扰估计的难度。
1MHZ 以内----以差模干扰为主,增大 X 电容就可解决
1MHZ---5MHZ---差模共模混合,采用输入端并一系列X电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标 并解决;5M---以上以共摸干扰为主,采用抑制共摸的方法。对于外壳接地的,在地线上用一个磁环绕 2 圈 会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减(diudiu2006);对于 25--30MHZ 不过可以采用加大对地 Y 电容、 在变压器外面包铜皮、改变 PCBLAYOUT、输出线前面接一个双线并绕的小磁环,少绕 10 圈、在输 出整流管两端并 RC 滤波器。
30---50MHZ 普遍是 MOS 管高速开通关断引起,可以用增大 MOS 驱动电阻,RCD 缓冲电路采用 1N4007 慢管,VCC 供电电压用 1N4007 慢管来解决。
100---200MHZ 普遍是输出整流管反向恢复电流引起,可以在整流管上串磁珠
100MHz-200MHz 之间大部分出于 PFCMOSFET 及 PFC 二极管,现在 MOSFET 及 PFC 二极管串磁 珠有效果,水平方向基本可以解决问题,但垂直方向就很无奈了。
开关电源的辐射一般只会影响到 100M 以下的频段。也可以在 MOS,二极管上加相应吸收回路,但效率 会有所降低。
设计开关电源时防止 EMI 的措施:
1.把噪音电路节点的 PCB 铜箔面积限度地减小;如开关管的漏极、集电极,初次级绕组的节点,等。
2.使输入和输出端远离噪音元件,如变压器线包,变压器磁芯,开关管的散热片,等等。
3.使噪音元件(如未遮蔽的变压器线包,未遮蔽的变压器磁芯,和开关管,等等)远离外壳边缘,因为在正常操作下外壳边缘很可能靠近外面的接地线。
4.如果变压器没有使用电场屏蔽,要保持屏蔽体和散热片远离变压器。
5.尽量减小以下电流环的面积:次级(输出)整流器,初级开关功率器件,栅极(基极)驱动线路,辅助整流器。
6.不要将门极(基极)的驱动返馈环路和初级开关电路或辅助整流电路混在一起。
7.调整优化阻尼电阻值,使它在开关的死区时间里不产生振铃响声。
8.防止 EMI 滤波电感饱和。
9.使拐弯节点和次级电路的元件远离初级电路的屏蔽体或者开关管的散热片。
10.保持初级电路的摆动的节点和元件本体远离屏蔽或者散热片。
11.使高频输入的 EMI 滤波器靠近输入电缆或者连接器端。
12.保持高频输出的 EMI 滤波器靠近输出电线端子。
13.使 EMI 滤波器对面的 PCB 板的铜箔和元件本体之间保持一定距离。
14.在辅助线圈的整流器的线路上放一些电阻。
15.在磁棒线圈上并联阻尼电阻。
16.在输出 RF 滤波器两端并联阻尼电阻。
17.在 PCB 设计时允许放 1nF/500V 陶瓷电容器或者还可以是一串电阻,跨接在变压器的初级的静端和辅助绕组之间。
18.保持 EMI 滤波器远离功率变压器;尤其是避免定位在绕包的端部。
19.在 PCB 面积足够的情况下,可在 PCB 上留下放屏蔽绕组用的脚位和放 RC 阻尼器的位置,RC 阻尼器可跨接在屏蔽绕组两端。
20.空间允许的话在开关功率场效应管的漏极和门极之间放一个小径向引线电容器(米勒电容,10 皮法/1 千伏电容)。
21.空间允许的话放一个小的 RC 阻尼器在直流输出端。
22.不要把 AC 插座与初级开关管的散热片靠在一起。
询价
联系人:吕先生 13006692189(手机/微信)
电话:400-900-3095
传真:0755-27582171
邮箱:sales@szcwdz.com 818@szcwdz.com
企业QQ:800152669