IXXH75N60B3D1【IGBT-单】IXYS|艾赛斯
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IXXH75N60B3D1

IXXH75N60B3D1 IXYS艾赛斯全系列索引
制造商型号: IXXH75N60B3D1
制造商: IXYS
描述: IGBT XPT 600V 160A TO-247
技术参考: 罗氏 PDF查询
库存状态: 实时库存查询  所在地:深圳原厂原装现货
备注: 代理销售世界各大品牌电子元器件,大量原厂原装正品现货
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产品信息

标准包装   30
类别 分立半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 GenX3™,XPT™
包装   管件  
IGBT 类型 为了
电压 - 集射极击穿(最大值) 600V
不同?Vge、Ic 时的?Vce(on) 1.85V @ 15V,60A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 160A
电流-集电极脉冲(Icm) -
功率 - 最大值 750瓦
开关能量 -
输入类型 标准
登机口收费 -
Td(开/关)A 25°C -
测试条件 -
反向恢复时间 (trr) -
封装/外壳 TO-247-3
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247
公司简介

深圳市创维电子有限公司专业代理经销商進口知名品牌电子元件,以供货周期短、购买总数灵便、商品配套设施齐备、高品质的服务项目为立足于立身之本,在全世界范畴中国的大小型公司调转国外上千加工厂现货交易库存量服务项目,共享资源全世界資源.

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主要用途:航空公司、航船、油气田、通信、诊疗、车、电子计算机、仪表设备、工业生产和消費级电子设备.

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参考价格及参考库存
  美国1号仓库    仓库直销,订单金额100元起订,满300元含运,满500元含税运,有单就有优惠,量大更优惠,支持原厂订货
型号 制造商 描述 参考库存 起订量 参考单价
(含税)
货期
(工作日)
操作
IXXH75N60B3D1
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IGBT 600V 160A 750瓦TO247

RoHS:符合 pbFree:是

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行业资讯

三极管开关电路PK场效应管电路优劣大不同 
一般我们在做电路设计时候,三极管开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区别:首先是三极管是用电流控制,MOS管属于电压控制;然后就是成本问题,三极管便宜,MOS管贵;其次是功耗问题,三极管损耗大;是驱动能力,MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。
MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管。实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和MOS晶体管的工作方式才能明白。
三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。
三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而MOS三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。
场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管。
场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好。场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。
场效应晶体管具有较高输入阻抗和低噪声等优点,因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用场效管做整个电子设备的输入级,可以获得一般晶体管很难达到的性能。
这里对于场效应管的选择来说,我们可以认为一般分成结型和绝缘栅型两大类,其控制原理都是一样的。

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