MOS 管的工作原理

增强型 MOS 管的漏极 D 和源极 S 之间有两个背靠背的 PN 结。当栅 - 源电压 VGS=0 时，即使加上漏 - 源电压 VDS，总有一个 PN 结处于反偏状态，漏 - 源极间没有导电沟道(没有电流流过)，所以这时漏极电流 ID=0。

 

 

此时若在栅 - 源极间加上正向电压，即 VGS>0，则栅极和硅衬底之间的 SiO2 绝缘层中便产生一个栅极指向 P 型硅衬底的电场，由于氧化物层是绝缘的，栅极所加电压 VGS 无法形成电流，氧化物层的两边就形成了一个电容，VGS 等效是对这个电容充电，并形成一个电场，随着 VGS 逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在这个电容的另一边就聚集大量的电子并形成了一个从漏极到源极的 N 型导电沟道，当 VGS 大于管子的开启电压 VT(一般约为 2V)时，N 沟道管开始导通，形成漏极电流 ID，我们把开始形成沟道时的栅 - 源极电压称为开启电压，一般用 VT 表示。

 

控制栅极电压 VGS 的大小改变了电场的强弱，就可以达到控制漏极电流 ID 的大小的目的，这也是 MOS 管用电场来控制电流的一个重要特点，所以也称之为场效应管。