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公司简介
深圳市创唯电子有限公司,是一家以产供销电子元件主导的公司。本企业《以诚信为主、以诚获得信任、以质取胜、贴心服务》的公司战略方针,以高质量的商品企业文化理念,凭着一直以来的标准化管理提高公司的销售市场市场竞争力,以深厚的整体实力贴心服务和公司背景图着眼于制造行业前沿,创建了优良的公司自然环境,现企业从业运营的知名品牌有:IXYS,MORON,Panasonic,UCC,NIPPON,UNITED,NICHICON,RUBYCON,SAMSUNG,MURATA,TDK,ROHM,KMEMET,TAIYOYUDEN,SPRAGUE/VISHAY,AVX/KYOCERA,SANYO,YAGEO,HITACHI,FAIRCHILD,LRC/MOTOROLA关键经营范围有:SMD、DIP 、高压电容、大容积电容器、TAN电容器、奇型电容器、排容、精密电阻、滤波器、EMI静噪滤波器、电压互感器、NTC热敏电阻器、PTC压敏、晶振、等等....品种齐全,欢迎各位来电资询!
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IXFH26N50产品属性
数据列表 IXFx2xN50
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 HiPerFET??
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 500V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 26A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 4mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 160nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 4200pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 300W(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 200 毫欧 @ 13A,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AD(IXFH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30
电子元器件小知识
学电子器件的对三极管、PN结不可以说陌生人,但当时课堂教学念书的那时候对电子器件空化的健身运动超难想像,这种集成电路工艺內部究竟是怎样工作中的?今日给大伙儿强烈推荐1个动漫解读,融合着文本,很多年的疑惑能够 一瞬间得解了。
半导体材料
原材料源自于元素周期表中金属材料与非金属材料的交汇处。常温状态半导体材料导电率能接近电导体与导体和绝缘体中间。
本征半导体
纯粹的具备分子结构的半导体材料称之为本征半导体。(因为可含残渣并且是分子结构,因此导电率比一般半导体材料差)
常温状态,极少数价电子因为热健身运动得到充足的动能摆脱共价键的拘束变成自由电子。这时,共价键留有1个空部位,即空化。分子因丧失电子器件而带正电,也就是说空化带正电。在本征半导体另加1个静电场,自由电子将定项中移动造成电流量;一起,价电子会按必须方位去先后弥补空化,等于空化也在定项中移动,并且是跟电子器件反方向的健身运动。本征半导体的电流量是这2个电流量相加。运输正电荷的物体称作载流子。IXFH26N50,IXFH26N50晶体管,IXFH26N50-IXYS代理商,IXFH26N50供应商
当有个自由电子的造成,必定会有个空化造成,因此自由电子与空化对是同生同灭。当自由电子在健身运动中弥补了1个空化,这时二者一起消退,这种情况称作复合型。在必须溫度下,二种载流子浓度值同样,超过这种稳定平衡。当溫度上升,热锻炼身体的话加重,会有大量的电子器件挣脱束缚,会造成载流子浓度值升高,进而摆脱这一均衡,溫度必须之后再度创建均衡。
残渣半导体材料
根据扩散工艺,在本征半导体掺加一些原素。
一、N型半导体材料
在本征半导体添加+5价原素磷,因为添加了最表层为5个电子器件的原素,在产生共价键之后空出1个电子器件,这一电子器件就变成自由电子。由于这一半导体材料自由电子的数量超过空化数量,而电子器件带负电,因此称作N(negative,负)型半导体材料。
二、P型半导体材料
在本征半导体添加+3价原素硼,因为添加了最表层为3个电子器件的原素,在产生共价键之后空出1个空位,硅分子的最表层电子器件想去弥补这一空位,进而会空出1个空化。空化带正电,因此称作P(positive,正)型半导体材料。
在N型半导体材料中,自由电子为大部分载流子,空化为极少数载流子;在P型半导体材料中,空化为大部分载流子,自由电子为极少数载流子。IXFH26N50,IXFH26N50晶体管,IXFH26N50-IXYS代理商,IXFH26N50供应商
PN结的产生
选用某类加工工艺,能够 将P型半导体材料和N型半导体材料制做在同一块儿硅片上。
因为浓度值差,会造成外扩散健身运动。一起,在P区N区交汇处,大部分载流子浓度值减少,P区出現正离子区,N区出現空气负离子区,內部会造成1个内静电场。该静电场会造成1个健身运动去阻拦外扩散健身运动,这一健身运动称之为飘移健身运动。参加外扩散健身运动和飘移健身运动的载流子数量同样,超过稳定平衡就产生了PN结。
PN结的单边导电率
PN结存有着等效电容器(势垒电容器和扩散电容,二者相加称之为结电容,实际省去),因为容抗跟頻率反比,当加进PN结上的交流电频率较高时,交流电流就能够 根据PN结的电容器产生通道,PN结会丧失单边导电性的特点。IXFH26N50,IXFH26N50晶体管,IXFH26N50-IXYS代理商,IXFH26N50供应商
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 库存数 / 价格 / 订货 操作
IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 26A(Tc) 400W(Tc) TO-247AD(IXFH)
型号:IXFH26N50P
仓库库存编号:IXFH26N50P-ND
无铅 1,360 可立即发货
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