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公司简介
深圳市创唯电子有限公司是国际知名品牌IC生产商在中国地区的地区代理及特邀代销商,运营IC知名品牌有TI XILINX MAXIM DALLAS HARRIS INTERSIL NS AD PHILIPS AMD CY LT MOT INTEL ALTERA这些，商品运用于GPS远程监控系统、智能化显示屏、IFM系列产品、变速器电子控制系统、工业机械手、互联网技术教学研究机器设备、内嵌式教学研究机器设备、自主创新培训智能机器人、综合性培训机器设备、手机开发平台、机电工程及自动化技术、智能机器人模块化设计、教育科学研究智能机器人、EDA/FPGA/SOPC教学研究机器设备、非致命武器系列产品、查验炮兵系列产品、两轮车、排爆系列产品、军用航空航天等行业，企业秉着诚实守信的标准，以客户至上、互惠互利的经营管理理念，立足于深圳市，朝向军用、珠三角地区，积极主动发展中国、外宽阔的销售市场，获得广大群众相同的信任和五星好评。
人们坚信，1个成熟期的当代公司有着的不仅是高品质的商品，还应当有顶级的服务项目，企业以科学研究当代的管理方法，灵活运用新科技的发展趋势，将“客户至上，互惠互利”的核心理念围绕于商品销售、服务项目的自始至终。
企业一惯坚持不懈：“质量首位、价格实惠、供货便捷、客户至上、凝聚力顾客”的发展战略和服务宗旨，向公司出示最令人满意的服务项目为已任，根据强劲的销售市场服务项目服务网络向公司出示规范性、系统化、多样化、多方位的贴心服务，真心实意热烈欢迎全球客户前去商谈协作，共商发展趋势和创建长期性的协作关联！也期待能与电子器件界同行业开展普遍的沟通交流协作，相互为业内的兴盛发展趋势做出需有的奉献！
IXFK80N50P产品属性
数据列表 IXF(K,X)80N50P
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 HiPerFET?，PolarHT?
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 500V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 80A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 5V @ 8mA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 197nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 12700pF @ 25V
Vgs（最大值） ±30V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 1040W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 65 毫欧 @ 40A，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-264AA（IXFK）
封装/外壳 TO-264-3，TO-264AA
标准包装 25
元器件小知识
晶体管原理及运用
三极管全名双极型三极管（Bipolar junction transistor，BJT）别称晶体三极管，通称三极管，是这种液体集成电路工艺，可用以检波、整流器、变大、电源开关、稳压管、数据信号解调等。三极管做为这种可变性电源开关。应用场景键入的工作电压，操纵排出的电流量，因而三极管可作为电流量的电源开关。和通常机械设备电源开关（如Relay、switch）不一样的是：三极管是运用通讯器材号来操纵，并且电源开关速率十分快，在试验室中的转换速率达到100吉hz左右。三极管是集成电路工艺，它既能够
作为电操纵的电源开关，还可以作为放大仪。三极管的优势要以相近自来水龙头操纵流水的方法操纵电流量。调节自来水龙头的旋纽能够
操纵流水。运用加进三极管1个操纵web端小工作电压或小电流量能够
操纵根据三极管另两边的大电流量。三极管运用于基本上全部你可以想起的电源电路中。比如，能够
在开关电路、放大器电路、震荡器电源电路、电流源电源电路、稳压电源电源电路、开关电源原理、数字逻辑集成电路芯片中看到三极管。基本上全部的电源电路中三极管全是用小数据信号操纵大电流量。
计算技术界的重大进展：1nm三极管问世
根据国外媒体报道显示，沉寂已久的计算技术界迈入了1个重要新闻。劳伦斯伯克利国家级实验室的1个精英团队摆脱了物理学極限，将目前的最精尖的三极管焊锡从14nm缩减到了1nm，进行了计算技术界的一整攻克！三极管的焊锡尺寸始终是计算技术发展的硬指标。三极管越小，一样容积的集成ic上就能集成化大量，与此同时CPU的特性和功率都能会得到巨大进步。很多年至今，技术性的发展趋势都会遵照摩尔定律。即当价钱不会改变时，集成电路芯片上可容下的电子器件的数量约每过18－24六个月便会多一倍，特性也将提高好几倍。但是环顾将来，摩尔定律刚开始一些不灵了，由于从集成ic的生产制造看来，7nm就是说物理学極限。如果三极管尺寸小于这一大数字，他们在物理学形状上就会十分集中化，以致于造成量子隧穿效用，为集成ic生产制造产生极大挑戰。
先前，intel等集成ic大佬表达他们将找寻能取代硅的新原材料来制做7nm三极管，而如今劳伦斯伯克利国家级实验室走在了前边。他们的1nm三极管由纳米碳管和MoS2制做而成，MoS2将肩负起本来半导体材料的岗位职责，而纳米碳管则承担操纵逻辑门中电子器件的流入。眼底下这一科学研究还滞留在初始阶段，终究在14nm的焊锡下个磨具上总有超出10亿个三极管，想要将三极管变小到1nm，规模性烧录的艰难一些过度极大。但是这一科学研究仍然具备十分关键的指导作用，新型材料的发觉将来将大大的提高电脑上的数学计算。
IXYS
MOSFET P-CH 500V 20A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 20A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：IXTT20P50P
仓库库存编号：IXTT20P50P-ND
无铅 239 可立即发货
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原厂订货交期：8 周
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IXYS
MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
详细描述：表面贴装 P 沟道 16A（Tc） 460W（Tc） TO-268
型号：IXTT16P60P
仓库库存编号：IXTT16P60P-ND
无铅 637 可立即发货
可于1-2周内送达
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IXYS
MOSFET N-CH 500V 26A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：IXFH26N50Q
仓库库存编号：IXFH26N50Q-ND
别名：476048
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IXYS
MOSFET N-CH 300V 40A TO-247AD
详细描述：通孔 N 沟道 40A（Tc） 300W（Tc） TO-247AD（IXFH）
型号：IXFH40N30
仓库库存编号：IXFH40N30-ND
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