IXTH48P20P|单端场效应管|TO-247-IXYS
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公司简介
深圳市创唯电子有限公司成立于2011年,企业位于我国广东省深圳市。是运营电子元件,电器产品的企业。商品销往世界各国销售市场并备受五星好评。企业销售各种各样高精NTC热敏电阻器、温度感应器等电子元件。 创唯视品质为公司的性命,为给广大群众出示高质量、性价比高的商品,企业持续勤奋提高商品的品质。创唯电子以高质量,性价比高的商品获得了广大群众的适用与信任,在销售市场上得到了优良的用户评价。 创唯以"品质可靠性好、价钱竞争能力强、顾客满意度高"为生产制造服务项目总体目标,持续着眼于产品创新,希望与世界各国顾客创建长期互利的协作关系。
IXTH48P20P产品属性
数据列表 IXT(H,T)48P20P
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET，MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 PolarP??
包装 管件
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss） 200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） 48A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值） 103nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） 5400pF @ 25V
Vgs（最大值） ±20V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 462W（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值） 85 毫欧 @ 500mA，10V
工作温度 -55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247（IXTH）
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30
元器件小知识
因为IGBT元器件科技含量高，生产制造难度系数大，现阶段中国生产工艺与海外优秀水准存有很大差别，技术性差别具体表现在：
一、设计构思
1、IGBT设计构思刚上坡，水准还远远地落伍与国际性大企业的水准，从PT向NPT发展趋势。现阶段中国有设计构思工作能力的公司包含：北京时代民芯、常州市宏微、嘉兴市星德、珠洲南车。只有产品研发应用场景穿通型PT加工工艺的600V和1200V中低端商品。
2、高端设计人力资源贫乏，目前产品研发工作人员的设计构思水准尚需提升，非常是具备自主创新能力的高端设计工作人员十分欠缺。
二、生产制造
NPT型IGBT反面加工工艺尽管和VDMOS基本相同(平面工艺和Trench加工工艺均可)，可是存有两大加工工艺难题——片状加工工艺和反面加工工艺。加工工艺上反面的绝缘层钝化处理，反面的减薄中国的FAB做的都不太好。
1、片状加工工艺(特殊耐压试验指标值的IGBT元器件，集成ic薄厚都是特殊的， 必须减薄到200-100um，高档乃至80um，如今中国150um减薄较为有谱，再低就沒有工作能力了。例如在100~200um的重量级，当硅片磨薄到这般程度后，事件的生产加工解决就较为艰难了，非常是针对8吋左右的大硅片，难度系数更大)
2、反面加工工艺(包含了反面引入，淬火激话，反面金属化等加工工艺流程，因为反面金属材料的溶点的限定，这种反面加工工艺务必在超低温下开展(不超出450°C)，淬火激话那步难度系数巨大。反面引入及其淬火，此加工工艺并不是像想像的这么简单，中国能生产加工的生产厂家不多)
3、现阶段华虹NEC合成芯的8吋线、华润上华和深圳市华康的6吋线均可出示电力电子器件的代工生产服务项目。
4、高档加工工艺开发者十分欠缺，目前产品研发工作人员的设计构思水准尚需提升。
三、封裝
只能极少数公司从业中小型输出功率IGBT的封裝，不仅增加值低，还产生了不断的技术性依靠。选用海外集成ic开展封裝的控制模块关键指标值是400A、1700V下列，并有IPM商品。控制模块的核心技术已基础把握。
四、销售市场
中国销售市场前前十名生产商中全是海外大企业，无一当地生产商。到目前为止IGBT都还没国内元器件，关键是日本国和殴美知名品牌，殴美知名品牌的商品关键用在电力电子技术和通讯业，而日本国的知名品牌适用于电磁灶、变频中央空调、电冰箱、全自动洗衣机等家用电器类多见。近些年英飞凌的IGBT单管也在家用电器产品中占据立足之地，而三凌的IGBT控制模块在也刚开始很多运用于军用、电力电子技术等制造行业。目前中国IGBT销售市场关键被殴美、日企所垄断性。Semikron、Infineon、三凌、Sanken、Fairchld飞兆、FUJI富士、IR、Toshiba飞利浦、IXYS、STM是中国IGBT销售市场中销售总额坐落于前10位的公司。
五、其他
中国全部工业生产链不行都是1个缘故。例如原材料，机械加工制造等机器设备借助進口。
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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 库存数 / 价格 / 订货 操作
IXYS
MOSFET P-CH 200V 24A TO-247AD
详细描述：通孔 P 沟道 24A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：IXTH24P20
仓库库存编号：IXTH24P20-ND
别名：Q1163049
无铅 31 可立即发货
可于1-2周内送达
1 + ￥103
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原厂订货交期：8 周
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Vishay Siliconix
MOSFET P-CH 200V 12A TO-247AC
详细描述：通孔 P 沟道 12A（Tc） 150W（Tc） TO-247-3
型号：IRFP9240PBF
仓库库存编号：IRFP9240PBF-ND
别名：*IRFP9240PBF
无铅 1,367 可立即发货
可于1-2周内送达
1 + ￥31.98
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Fairchild/ON Semiconductor
MOSFET N-CH 250V 51A TO-220
详细描述：通孔 N 沟道 51A（Tc） 320W（Tc） TO-220-3
型号：FDP51N25
仓库库存编号：FDP51N25-ND
无铅 0
可于1-2周内送达
1 + ￥34.03
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 26A TO-247
详细描述：通孔 P 沟道 26A（Tc） 300W（Tc） TO-247（IXTH）
型号：IXTH26P20P
仓库库存编号：IXTH26P20P-ND
无铅 165 可立即发货
可于1-2周内送达
1 + ￥80.17
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IXYS
MOSFET P-CH 200V 53A ISOPLUS247
详细描述：通孔 P 沟道 53A（Tc） 312W（Tc） ISOPLUS247?
型号：IXTR90P20P
仓库库存编号：IXTR90P20P-ND
无铅 6 可立即发货
可于1-2周内送达
1 + ￥213.65
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原厂订货交期：8 周
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