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IXTH16P60P

IXTH16P60P - MOSFET P-CH 600V 16A TO-247

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制造商: IXYS
制造商产品编号:IXTH16P60P
仓库库存编号:IXTH16P60P-ND
描述:MOSFET P-CH 600V 16A TO-247
ROHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:通孔 P 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) TO-247(IXTH)
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主营业务范畴:类音频放大器IC AB类音频放大器IC 、运算放大器ICLED照明灯具控制器ICLED照明灯具控制模块、LED背光驱动器IC、逻辑性IC、标准源电源电路IC 双音频编解码电源电路ICCMOS髙压仿真模拟电源开关、 DC-DC压力ICDC-DC降血压ICDC-DC压力/降血压ICLDO底压差降血压IC、锂电管理方法IC、光耦继电器等商品。

IXTH16P60P产品属性
数据列表 IXT(H,T)16P60P
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 PolarP??
包装 管件 
零件状态 在售
FET 类型 P 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 16A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4.5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 92nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 5120pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 460W(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 720 毫欧 @ 500mA,10V
工作温度 -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247(IXTH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30
元器件小知识

半导体材料是电子设备的关键,大数据产业的根基。电子行业因具备中下游运用普遍、生产工艺工艺流程多、产品品种多、技术性升级换代快、项目投资高危大等特性,全产业链从一体化到垂直行业职责分工愈来愈确立,并亲身经历了2次室内空间上的产业集聚。全世界电子行业大概以4-6年为1个周期时间,形势周期时间与宏观经济政策、中下游运用要求及其本身生产能力库存量等要素息息相关。2017半导体材料产业链市场容量攻克4000亿美金,存储芯片是关键驱动力。

供求转变价格上涨扩散,自主创新运用驱动器形势周期时间不断

半导体材料新一轮价格上涨的直接原因为供求转变,并沿全产业链传输,价格上涨是不是不断還是看供求,NAND随之生产能力释放出来价钱有一定的减少,DRAM、硅片生产能力仍告急价格上涨即将不断。憧憬未来,随之物联网技术、区块链技术、汽车电子产品、5GARVRAI等多选自主创新运用发展趋势,电子行业即将维持高形势度。提升产出率刻不容缓,强国发展战略促进产业发展规划

中国半导体材料销售市场贴近全世界的3分之一,但中国半导体材料产出率水准极低,非常是关键集成ic无比欠缺,国内市场占有率都基本上为零。集成ic事关到国防安全,国产化刻不容缓。2014年《國家集成电路芯片产业发展规划推动规划纲要》将半导体材料产业链新技术应用产品研发提高至战略高宽比。大股票基金首期款项目投资成效明显,撬起了地区产业基金达5000亿美元,现阶段大股票基金二期工程募资早已起动,募资额度将超出1期,促进中国半导体材料产业发展规划。内地设计构思生产制造封测掘起,原材料机器设备重中之重攻克

历经很多年的发展趋势,中国半导体材料绿色生态慢慢完工,设计构思生产制造封测三业发展趋势逐步平衡。设计业:尽管回收受到限制,但独立发展趋势快速,群英并起,海思展讯进到全世界前十。加工业:圆晶生产制造产业链向内地迁移,内地12寸晶圆厂生产能力暴发。代工生产层面,尽管与国际性大佬对比,追逐仍需长时间,但中芯国际28nm焊锡已攻克,14nm加速产品研发中;储存层面,长江存储、晋华集成化、合肥长鑫几大储存新项目有序推进。封测业:中国封测五强进到第一梯队,抢鲜合理布局优秀封裝。机器设备:国内半导体设备市场销售迅速持续增长,不同产品保持不断发展的攻克,星星之火等候燎原。原材料:中国生产商在小规格硅片、光刻胶、CMP原材料、溅射靶材等行业已初行之有效;几寸硅片国产化翘首以待。1、规律性起伏往上,市场容量超4000亿美金

1.1、半导体材料是电子设备的关键,大数据产业的根基

从三极管问世,再到集成电路芯片

电子计算机的基本是10,拥有10,如同数学课拥有10个大数字,語言拥有26个英文字母,人类基因拥有AGCT,根据编号和逻辑运算等便能够 表达人世间天地万物。1946年的第一台计算机是根据真空管保持了10,共应用了18800个真空管,大概是一家半的课室大,六只热胀冷缩重。

根据在半导体器件里掺加不一样原素,1947年在美国贝尔实验室生产制造出全世界第一位三极管。三极管一样能够 保持真空管的作用,且容积比电子管变小了很多,用电子管做的有几间房间大的电子计算机,用三极管已变小为好多个服务器机柜了。将一个电源电路中需要的三极管、电阻器、电容器和电感器等元器件及走线互联一块儿,制做在一块或几一块块半导体材料芯片或物质基片上,随后封裝在1个管壳内,变成具备需要电源电路作用的小型构造,这就是集成电路芯片,也称为集成icIC。集成电路芯片中全部元器件结构类型已构成1个总体,使电子元器件朝着微实用化、功耗、智能化系统和销售电价层面迈入了许多。集成电路芯片发明人为杰克·基尔比(应用场景锗(Ge)的集成电路芯片)和海瑞朗·诺伊思(应用场景硅(Si)的集成电路芯片)。现如今半导体材料工业生产大部分运用的是应用场景硅的集成电路芯片。

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参考图片
制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 PDF 库存数 / 价格 / 订货 操作


IXYS
MOSFET N-CH 600V 36A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 36A(Tc) 650W(Tc) TO-247AD(IXFH)

型号:IXFH36N60P
仓库库存编号:IXFH36N60P-ND
无铅 584 可立即发货 
可于1-2周内送达
1 + ¥113.39
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MOSFET P-CH 500V 40A TO-264
详细描述:通孔 P 沟道 40A(Tc) 890W(Tc) TO-264(IXTK)

型号:IXTK40P50P
仓库库存编号:IXTK40P50P-ND
无铅 403 可立即发货 
可于1-2周内送达
1 + ¥196.18
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原厂订货交期:8 周
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MOSFET P-CH 500V 10A TO-220
详细描述:通孔 P 沟道 10A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB

型号:IXTP10P50P
仓库库存编号:IXTP10P50P-ND
无铅 3,266 可立即发货 
可于1-2周内送达
1 + ¥63.27
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原厂订货交期:8 周
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MOSFET P-CH 600V 16A TO-268
详细描述:表面贴装 P 沟道 16A(Tc) 460W(Tc) TO-268

型号:IXTT16P60P
仓库库存编号:IXTT16P60P-ND
无铅 637 可立即发货 
可于1-2周内送达
1 + ¥125.61
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原厂订货交期:8 周
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MOSFET N-CH 600V 18A TO220FP
详细描述:通孔 N 沟道 18A(Tc) 30W(Tc) TO-220 整包

型号:STF24N60DM2
仓库库存编号:497-15115-5-ND
别名:497-15115-5 
无铅 265 可立即发货 
可于1-2周内送达
1 + ¥49.91
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原厂订货交期:38 周
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