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IXFH320N10T2

IXFH320N10T2 - MOSFET N-CH 100V 320A TO-247

声明:图片仅供参考,请以实物为准!
制造商: IXYS
制造商产品编号:IXFH320N10T2
仓库库存编号:IXFH320N10T2-ND
描述:MOSFET N-CH 100V 320A TO-247
ROHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
湿气敏感性等级(MSL):1(无限)
详细描述:通孔 N 沟道 320A(Tc) 1000W(Tc) TO-247AD(IXFH)
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IXFH320N10T2产品属性
类别 分立半导体产品
晶体管 - FET,MOSFET - 单
制造商 IXYS
系列 HiPerFET?,TrenchT2?
包装 管件 
零件状态 在售
FET 类型 N 沟道
技术 MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时) 320A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) 10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值) 4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷?(Qg)(最大值) 430nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值) 26000pF @ 25V
Vgs(最大值) ±20V
FET 功能 -
功率耗散(最大值) 1000W(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值) 3.5 毫欧 @ 100A,10V
工作温度 -55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型 通孔
供应商器件封装 TO-247AD(IXFH)
封装/外壳 TO-247-3
标准包装 30
元器件小知识

现阶段法国和我国的科学研究工作人员相互生产制造出具备5III族氮化合物半导体材料沟道能级的三栅极氢氧化物半导体材料高电子器件迁移率三极管,进而提升了静电感应操纵和驱动电流。

瑞士洛桑联邦政府理工大学(EPFL)和我国的Enkris半导体材料企业所生产制造的原材料构造由5个平行面层构成,包含10nm氮化铝镓(AlGaN)阻挡层,1nm AlN间距层和10nm GaN沟道。在其中阻挡层要以5x1018cm3的一部分水准夹杂硅以提高导电率。

5个平行面的薄二维动画电子气(2DEG)安全通道上的霍耳精确测量得出了层析电阻器为230Ω/平方米,具备15x1013cm2的载流子相对密度和1820cm2Vs迁移率(μ)。合理电阻(ρeff)为24mΩ-cm,但总薄厚(ttot)较小。该精英团队称:“小的ρeff和高迁移率针对减少RON尤为重要,总薄厚较薄,有利于静电感应栅极操纵和元器件生产制造(高横纵比鳍片的刻蚀及其在他们周边产生电级将会会具备趣味性。)”

根据电感耦合刻蚀保持了三栅极构造,深度1200nm。欧母源极/漏极接触点由淬火的钛/铝/钛/镍/金构成。栅极层叠是25nm分子层堆积(ALDsio2导体和绝缘体和镍/金电级。

1个元器件的栅极长短为51μm50μm的鳍片长短+2x05μm的源极和漏极拓宽。而安全通道电流量的操纵遭受鳍片总宽的危害。非常是,针对宽鳍片而言,它对较深安全通道的操纵是迟缓的。当总宽超过200nm时,跨导显示信息出5个峰(每一安全通道1个峰 )。谷值以40nm总宽合拼。40nm元器件显示信息出-008V的小负阀值,改进了101mV /五倍的亚阀值摆幅和295mS  mm的谷值跨导。

或许,减少鳍片总宽因此会减少通断情况下的漏极电流量。好几个安全通道在必须水平上填补了这一点儿。随之多通道元器件中鳍片总宽的减少,较大电流量平稳降低,而针对5个安全通道,只能总宽低于200nm时才会出現显著的危害。针对100nm宽的鳍片,多通道电流量相对性于平面图栅极降低了41%; 5安全通道降低仅为12%。

科学研究工作人员表述道,“单通道构造巨大地缓解了三栅极(MOSHEMT中的电子器件  电子器件和外壁光学散射。”多通道元器件中的电子器件密不可分沉积,提升了电子器件  电子器件撞击的速度,进而提升了电阻器;而深化摩擦阻力来源于大量电子器件碰撞鳍片外壁。单通道构造则降低了独立安全通道中的电子器件拥堵。

髙压MOSHEMT,其栅极漏极间隔为10μm,鳍片为700nm长,100nm宽,鳍片中间的间隔为100nm,填充因子为50%。栅极金属材料向源极拓宽05μm,在漏极方位拓宽13μm,总长为25μm

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型号:0ZRC0250FF1A
仓库库存编号:507-1345-ND
别名:507-1345 
无铅 2,168 可立即发货 
可于1-2周内送达
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原厂订货交期:18 周
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详细描述:通孔 N 沟道 340A(Tc) 935W(Tc) TO-247AD(IXFH)

型号:IXFH340N075T2
仓库库存编号:IXFH340N075T2-ND
无铅 206 可立即发货 
可于1-2周内送达
1 + ¥106.2
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原厂订货交期:8 周
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IXYS
MOSFET N-CH 75V 400A TO-247
详细描述:通孔 N 沟道 400A(Tc) 1000W(Tc) TO-247AD(IXFH)

型号:IXFH400N075T2
仓库库存编号:IXFH400N075T2-ND
无铅 171 可立即发货 
可于1-2周内送达
1 + ¥153.93
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原厂订货交期:8 周
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仓库库存编号:399-10646-ND
别名:399-10646 
无铅 1,620 可立即发货 
可于1-2周内送达
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仓库库存编号:296-41136-1-ND
别名:296-41136-1 
含铅 608 可立即发货 
可于1-2周内送达
1 + ¥63.84
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原厂订货交期:24 周
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